3.3. Материалы

3.3.

Материалы

3.3.1.

Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов:

3.3.1.1.

Кремний (Si);

3818 00 100 0;

3818 00 900 0

3.3.1.2.

Германий (Ge);

3818 00 900 0

3.3.1.3.

Карбид кремния (SiC);

3818 00 900 0

3.3.1.4.

Соединения III - V на основе галлия или индия

3818 00 900 0

Примечание.

Пункт 3.3.1.4 не применяется к подложкам, имеющим один эпитаксиальный слой P-типа или более на основе соединений GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AllnP или InGaAlP, независимо от последовательности элементов, за исключением случаев, когда эпитаксиальный слой P-типа находится между слоями N-типа

3.3.1.5.

Оксид галлия (Ga2O3); или

3.3.1.6.

Алмаз (C)

3.3.2.

Резисты, определенные ниже, а также подложки, покрытые ими:

3.3.2.1.

Резисты, разработанные для полупроводниковой литографии:

3824 84 000 0;

3824 85 000 0;

3824 86 000 0;

3824 87 000 0;

3824 88 000 0;

3824 99 920 3;

3824 99 920 8;

3824 99 960 8

а) позитивные резисты, приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны в диапазоне от 15 нм до 193 нм;

б) резисты, приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны в диапазоне от более 1 нм до 15 нм;

3.3.2.2.

Все резисты, разработанные для использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/мм² или лучше;

3824 84 000 0;

3824 85 000 0;

3824 86 000 0;

3824 87 000 0;

3824 88 000 0;

3824 99 920 3;

3824 99 920 8;

3824 99 960 8

3.3.2.3.

Все резисты, оптимизированные под технологии формирования рисунка

3824 84 000 0;

3824 85 000 0;

3824 86 000 0;

3824 87 000 0;

3824 88 000 0;

3824 99 920 3;

3824 99 920 8

3824 99 960 8

3.3.2.4.

Все резисты, разработанные или приспособленные для применения с оборудованием для литографической печати, определенным в пункте 3.2.1.6.2 и использующим процесс термообработки или светоотверждения

3824 84 000 0;

3824 85 000 0;

3824 86 000 0;

3824 87 000 0;

3824 88 000 0;

3824 99 920 3;

3824 99 920 8;

3824 99 960 8

3.3.3.

Следующие органо-неорганические соединения:

3.3.3.1.

Металлоорганические соединения алюминия, галлия или индия с чистотой металлической основы более 99,999 процента;

2931 90 000 9

3.3.3.2.

Органические соединения мышьяка, сурьмы и фосфорорганические соединения с чистотой основы неорганического элемента более 99,999 процента

2931

Примечание.

Пункт 3.3.3 применяется только к соединениям, металлический, частично металлический или неметаллический элемент в которых непосредственно связан с углеродом органической части молекулы

3.3.4.

Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту более 99,999 процента, даже будучи растворенными в инертных газах или водороде

2850 00 200 0;

2853 90 900 0

Примечание.

Пункт 3.3.4 не применяется к гидридам, содержащим 20 процентов или более молей инертных газов или водорода

3.3.5.

Материалы с высоким сопротивлением:

а) полупроводниковые подложки из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN), нитрида галлия-алюминия (AlGaN), оксида галлия (Ga2O3), алмаза (C) или слитки, були, а также другие преформы из указанных материалов, имеющие удельное сопротивление более 10000 Ом·см при температуре 20 °C;

б) поликристаллические или керамические подложки, имеющие сопротивление более 10000 Ом·см при температуре 20 °C и как минимум один неэпитаксиальный монокристаллический слой из кремния (Si), карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN), нитрида галлия-алюминия (AlGaN), оксида галлия (Ga2O3) или алмаза (C) на поверхности подложки

3818 00 900 0

3.3.6.

Материалы, не определенные в пункте 3.3.1, состоящие из подложек, определенных в пункте 3.3.5, содержащие по крайней мере один эпитаксиальный слой из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN), нитрида галлия-алюминия (AlGaN), оксида галлия (Ga2O3) или алмаза (C)

3818 00 900 0