3.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование

3.2.

Испытательное, контрольное и производственное оборудование

3.2.1.

Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них:

3.2.1.1.

Оборудование, разработанное для эпитаксиального выращивания:

3.2.1.1.1.

Оборудование, разработанное или модифицированное для производства слоя из любого материала, отличного от кремния, с отклонением равномерности толщины менее 2,5 процента на расстоянии 75 мм или более

8486 10 000 9

Примечание.

Пункт 3.2.1.1.1 включает оборудование для эпитаксиального выращивания атомного слоя;

3.2.1.1.2.

Установки (реакторы) для химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений, разработанные для эпитаксиального выращивания полупроводниковых соединений из материала, содержащего два или более из следующих элементов: алюминий, галлий, индий, мышьяк, фосфор, сурьма или азот;

8486 20 900 9

3.2.1.1.3.

Оборудование для молекулярно-эпитаксиального выращивания с использованием газообразных или твердых источников;

3.2.1.2.

Оборудование, разработанное или оптимизированное для ионной имплантации, имеющее любую из следующих характеристик:

8486 20 900 9

а) энергию пучка 20 кэВ или более и силу тока пучка 10 мА или более для водородных, дейтериевых или гелиевых имплантатов;

б) возможность непосредственного формирования рисунка;

в) энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока пучка 45 мА или более для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала; или

г) энергию пучка 20 кэВ или более и силу тока пучка 10 мА или более для имплантации кремния в подложку полупроводникового материала, нагретую до температуры 600 °C или более;

3.2.1.3.

Автоматически загружаемые многокамерные системы с центральным транспортно-загрузочным устройством для пластин (подложек), имеющие все следующее:

8456 40 000 0;

8456 90 000 0;

8479 50 000 0;

8486 20 900 2;

8486 20 900 3

а) средства сопряжения для загрузки и выгрузки пластин (подложек), разработанные для возможности присоединения более двух отличных по функциональным возможностям инструментов для обработки полупроводников, определенных в пункте 3.2.1.1.1, 3.2.1.1.2, 3.2.1.1.3 или 3.2.1.2; и

б) разработанные для создания интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин (подложек) в вакууме

Технические примечания:

1. Для целей пункта 3.2.1.5 инструменты для обработки полупроводников относятся к инструментам модульной конструкции, которые обеспечивают такие, отличные по функциональности, физические процессы производства полупроводников, как осаждение, имплантация или термообработка.

2. Для целей пункта 3.2.1.5 многопозиционная обработка пластин (подложек) означает возможность обрабатывать каждую пластину (подложку) с помощью различных инструментов для обработки полупроводников, например, путем передачи каждой пластины (подложки) от первого инструмента ко второму и далее к третьему посредством автоматически загружаемых многокамерных систем с центральным транспортно-загрузочным устройством

Примечание.

Пункт 3.2.1.5 не применяется к автоматическим роботизированным системам для загрузки-разгрузки пластин (подложек), специально разработанным для параллельной обработки пластин (подложек);

3.2.1.4.

Оборудование для литографии:

3.2.1.4.1.

Оборудование для обработки пластин с использованием методов оптической или рентгеновской литографии с пошаговым совмещением и экспозицией (непосредственно на пластине) или сканированием (сканер), имеющее любое из следующего:

8443 39 390 0

а) источник света с длиной волны короче 193 нм; или

б) возможность формирования рисунка с минимальным разрешаемым размером элемента 45 нм и менее

Техническое примечание.

Минимальный разрешаемый размер элемента (МРР) рассчитывается по следующей формуле: МРР = (длина волны источника света в нанометрах) x (К фактор) / (числовая апертура), где К фактор = 0,35;

3.2.1.4.2.

Литографическое оборудование для печати, способное создавать элементы размером 45 нм или менее

8443 39;

8486 20 900

Примечание.

Пункт 3.2.1.6.2 включает:

а) инструментальные средства для микроконтактной литографии;

б) инструментальные средства для горячего тиснения;

в) литографические инструментальные средства для нанопечати;

г) литографические инструментальные средства для поэтапной и мгновенной печати;

3.2.1.4.3.

Оборудование, специально разработанное для изготовления шаблонов, удовлетворяющее всем следующим условиям:

а) использующее отклоняемый сфокусированный электронный, ионный или лазерный пучок; и

б) имеющее любую из следующих характеристик:

полную ширину пятна на полувысоте пучка менее 65 нм и на поверхности размещения изображения менее 17 нм (с вероятностью +3 сигма); или

погрешность совмещения второго слоя менее 23 нм (с вероятностью +3 сигма) на шаблоне;

8456 11 000 0;

8456 12 000 0;

8486 20 900 3;

8486 40 000 1

3.2.1.4.4.

Производственное оборудование, разработанное для прямого формирования рисунка на подложке, удовлетворяющее всем следующим условиям:

а) использующее отклоняемый сфокусированный электронный пучок; и

б) имеющее любую из следующих характеристик:

минимальный диаметр пучка 15 нм или менее; или

погрешность совмещения второго слоя менее 27 нм (с вероятностью +3 сигма);

8456 11 000 0;

8456 12 000 0;

8486 20 900 3;

8486 40 000 1

3.2.1.5.

Маски и промежуточные шаблоны, разработанные для производства интегральных схем, определенных в пункте 3.1.1;

8486 90 900 3

3.2.1.6.

Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем, иные чем определенные в пункте 3.2.1.6 и разработанные для применения в литографическом оборудовании, имеющем длину волны источника оптического излучения менее 245 нм

8486 90 900 3

Примечание.

Пункт 3.2.1.8 не применяется к многослойным шаблонам с фазосдвигающим слоем, разработанным для изготовления запоминающих устройств, иных чем определенных в пункте 3.1.1

Особое примечание.

Для масок и промежуточных шаблонов, специально разработанных для оптических датчиков см. пункт 6.2.2;

3.2.1.7.

Литографические шаблоны для печати, разработанные для интегральных схем, определенных в пункте 3.1.1

8486 90 900 3

3.2.1.8.

Шаблонные заготовки (на подложке) со структурой многослойного зеркала, состоящие из молибдена и кремния и имеющие все следующие характеристики:

8486 90 900 3

а) специально разработанные для субмикронной ультрафиолетовой литографии; и

б) совместимые со стандартом SEMI P37

Техническое примечание.

"Субмикронная ультрафиолетовая" относится к длинам волны электромагнитного спектра более 5 нм и менее 124 нм

3.2.2.

Оборудование, специально разработанное для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально разработанные для этого компоненты и приспособления:

3.2.2.1.

Для измерения S-параметров изделий, определенных в пункте 3.1.1.2.3;

9031 80 380 0

3.2.2.2.

Для испытания изделий, определенных в пункте 3.1.1.2.2

9030;

9031 20 000 0;

9031 80 380 0