Раздел II.17. Радиоэлектроника

II.17.1. Конструкция и технология производства

электронных приборов и элементной базы

Примечания: 1. Экспортный контроль по

подразделу II.17.1. не распространяется на

конструкцию и технологии производства:

микроволновых транзисторов, работающих на

частотах ниже 31 ГГц; интегральных схем,

указанных в пунктах I.16.1.1. - I.16.1.1.8.2.,

использующих проектные нормы 1 мкм и выше и не

содержащих многослойных структур

2. Не контролируется экспорт многослойной

технологии приборов, содержащих максимум два

металлических слоя и два слоя поликремния

II.17.1.1. Конструкция и технология производства

интегральных схем

II.17.1.1.1. Конструкция и технология производства

микропроцессорных микросхем, микрокомпьютерных

микросхем и микросхем микроконтроллеров, имеющих

хотя бы одну из следующих характеристик:

Примечания: 1. Экспортный контроль по пункту

II.17.1.1.1. не распространяется на конструкцию

и технологию производства кремниевых

микрокомпьютерных микросхем и микросхем

микроконтроллеров, имеющих длину операнда

(данных) 8 бит и менее

2. Экспортный контроль по пункту II.17.1.1.1.

распространяется на конструкцию и технологию

производства цифровых сигнальных процессоров,

цифровых матричных процессоров и цифровых

сопроцессоров

II.17.1.1.1.1. разрядность внешней шины данных превышает

32 бита либо разрядность доступа к

арифметико-логическому устройству превышает

32 бита;

II.17.1.1.1.2. тактовая частота превышает 40 МГц;

II.17.1.1.1.3. внешняя шина данных имеет разрядность 32

бита и более, а производительность равна

12,5 млн. команд в секунду и более;

II.17.1.1.1.4. процессор параллельного типа оснащен для

внешнего подключения более чем одной шиной

данных или команд, или последовательным

портом связи с пропускной способностью

свыше 2,4 Мбайт/с

II.17.1.1.2. Конструкция и технология производства

интегральных схем памяти

II.17.1.1.2.1. Конструкция и технология производства

электрически перепрограммируемых полупостоянных

запоминающих устройств с емкостью памяти,

превышающей 1 кбит на один корпус или

превышающей 256 кбит на один корпус, и имеющих

максимальное время доступа менее 80 нс

II.17.1.1.2.2. Конструкция и технология производства

статических запоминающих устройств с

произвольной выборкой с емкостью памяти,

превышающей 1 Мбит на один корпус или

превышающей 256 кбит на один корпус, и имеющих

максимальное время доступа менее 25 нс

II.17.1.1.2.3. Конструкция и технология производства

интегральных схем памяти, изготовленных на

основе сложного полупроводника

II.17.1.1.3. Конструкция и технология производства

электронно-оптических или оптических

интегральных схем для обработки сигналов,

имеющих:

один внутренний лазерный диод или более;

один внутренний светочувствительный элемент

или более;

оптические волноводы

II.17.1.1.4. Конструкция и технология производства

программируемых у пользователя базовых матричных

кристаллов, имеющих хотя бы одну из следующих

характеристик:

II.17.1.1.4.1. эквивалентное количество вентилей свыше

30000 (в пересчете на двухвходовые);

II.17.1.1.4.2. типовое время задержки распространения

сигнала в базовом вентиле менее 0,4 нс

II.17.1.1.5. Конструкция и технология производства

программируемых у пользователя логических

матриц, имеющих хотя бы одну из следующих

характеристик:

II.17.1.1.5.1. эквивалентное количество вентилей свыше

5000 (в пересчете на двухвходовые);

II.17.1.1.5.2. частота переключения превышает 100 МГц

II.17.1.1.6. Конструкция и технология производства

интегральных схем для нейронных сетей

II.17.1.1.7. Конструкция и технология производства заказных

интегральных схем, имеющих хотя бы одну из

следующих характеристик:

II.17.1.1.7.1. число выводов свыше 144;

II.17.1.1.7.2. типовое время задержки распространения

сигнала в базовом вентиле менее 0,4 нс;

II.17.1.1.7.3. рабочая частота свыше 3 ГГц

II.17.1.1.8. Конструкция и технология производства цифровых

интегральных схем, отличающихся от описанных в

пунктах I.16.1.1.1. - I.16.1.1.7., созданных на

основе любого сложного полупроводника и имеющих

хотя бы одну из следующих характеристик:

II.17.1.1.8.1. эквивалентное количество вентилей свыше 300

(в пересчете на двухвходовые);

II.17.1.1.8.2. частота переключения свыше 1,2 ГГц

II.17.1.2. Конструкция и технология производства приборов

микроволнового или миллиметрового диапазона

II.17.1.2.1. Конструкция и технология производства

электронных вакуумных ламп и катодов

Примечание. Экспортный контроль по пунктам

II.17.1.2.1. - II.17.1.2.1.3.2. не

распространяется на конструкцию и технологию

производства ламп, предназначенных для работы в

стандартном диапазоне частот гражданской

телекоммуникации, с частотами, не превышающими

31 ГГц

II.17.1.2.1.1. Конструкция и технология производства ламп

бегущей волны импульсного или непрерывного

действия:

II.17.1.2.1.1.1. работающих на частотах свыше 31 ГГц;

II.17.1.2.1.1.2. имеющих элемент подогрева катода со

временем от включения до выхода лампы на

номинальную радиочастотную мощность менее 3

с;

II.17.1.2.1.1.3. с сопряженными резонаторами или их

модификации;

II.17.1.2.1.1.4. со спиралью или их модификаций, имеющих

хотя бы один из следующих признаков:

II.17.1.2.1.1.4.1. мгновенная ширина полосы частот составляет

пол-октавы и более, и произведение

номинальной средней выходной мощности (в

кВт) на максимальную рабочую частоту (в

ГГц) превышает 0,2;

II.17.1.2.1.1.4.2. мгновенная ширина полосы частот составляет

менее пол-октавы и произведение номинальной

средней выходной мощности (в кВт) на

максимальную рабочую частоту (в ГГц)

превышает 0,4;

II.17.1.2.1.1.4.3. по техническим условиям пригодны для

космического применения

II.17.1.2.1.2. Конструкция и технология производства

СВЧ-приборов - усилителей магнетронного типа с

коэффициентом усиления более 17 дБ

II.17.1.2.1.3. Конструкция и технология производства

импрегнированных катодов для электронных ламп,

имеющих хотя бы один из следующих признаков:

II.17.1.2.1.3.1. время от включения до выхода на номинальную

эмиссию менее 3 с;

II.17.1.2.1.3.2. плотность тока при непрерывной эмиссии и

штатных условиях функционирования свыше 5

А/кв. см

II.17.1.2.2. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства электронных вакуумных ламп и

катодов, указанных в пунктах I.16.1.2.1. -

I.16.1.2.1.3.2.

II.17.1.2.3. Конструкция и технология производства

интегральных схем или модулей микроволнового

диапазона, содержащих твердотельные интегральные

схемы, работающие на частотах свыше 31 ГГц

Примечание

Экспортный контроль по пункту II.17.1.2.3. не

распространяется на конструкцию и технологию

производства схем или модулей для оборудования,

разработанного или пригодного для работы в

стандартном диапазоне частот гражданской

телекоммуникации с частотами, не превышающими 31

ГГц

II.17.1.2.4. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства интегральных схем или модулей

микроволнового диапазона, указанных в пункте

I.16.1.2.2.

II.17.1.2.5. Конструкция и технология производства

микроволновых транзисторов, предназначенных для

работы на частотах, превышающих 31 ГГц

II.17.1.2.6. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства микроволновых транзисторов,

предназначенных для работы на частотах,

превышающих 31 ГГц

II.17.1.2.7. Конструкция и технология производства

микроволновых твердотельных усилителей:

II.17.1.2.7.1. работающих на частотах свыше 10,5 ГГц и

имеющих ширину рабочей полосы частот более

чем пол-октавы;

II.17.1.2.7.2. работающих на частотах свыше 31 ГГц

Примечание. Экспортный контроль по пункту

II.17.1.2.7. не распространяется на конструкцию

и технологию производства усилителей:

специально спроектированных для медицинских

целей;

специально спроектированных для простых учебных

приборов;

имеющих выходную мощность не более 10 Вт и

специально спроектированных для:

промышленных или гражданских систем защиты

периметра, обнаружения посторонних лиц или

охранной сигнализации;

автодорожных или промышленных систем

управления движением и систем подсчета;

систем обнаружения экологического

загрязнения воздуха или воды

II.17.1.2.8.

Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства микроволновых твердотельных

усилителей, указанных в пунктах I.16.1.2.4. -

I.16.1.2.4.2.

II.17.1.2.9. Конструкция и технология производства полосовых

или заграждающих фильтров с электронной или

магнитной настройкой, имеющих свыше 5

настраиваемых резонаторов, обеспечивающих

настройку в полосе частот с соотношением

максимальной и минимальной частот 1,5 менее чем

за 10 мкс, причем полоса пропускания составляет

более 0,5% от резонансной частоты или полоса

подавления составляет менее 0,5% от резонансной

частоты

II.17.1.2.10. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства полосовых или заграждающих

фильтров, указанных в пункте I.16.1.2.5.

II.17.1.2.11. Конструкция и технология производства

микроволновых сборок, способных работать на

частотах, превышающих 31 ГГц

II.17.1.2.12. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства микроволновых сборок, способных

работать на частотах, превышающих 31 ГГц

II.17.1.2.13. Конструкция и технология производства гибких

волноводов, спроектированных для использования

на частотах свыше 40 ГГц

II.17.1.2.14. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства гибких волноводов, спроектированных

для использования на частотах свыше 40 ГГц

II.17.1.3. Конструкция и технология производства приборов

на акустических волнах и специально

спроектированных для них компонентов

II.17.1.3.1. Конструкция и технология производства приборов

на поверхностных акустических волнах в тонкой

подложке (т.е. приборов для обработки сигналов,

использующих упругие волны в материале), имеющих

хотя бы один из следующих признаков:

II.17.1.3.1.1. несущая частота превышает 1 ГГц;

II.17.1.3.1.2. несущая частота 1 ГГц и менее, частотное

подавление боковых лепестков диаграммы

направленности превышает 55 дБ,

произведение максимального времени задержки

(в мкс) на ширину полосы частот (в МГц)

больше 100 или задержка распространения

превышает 10 мкс

Примечание. Экспортный контроль по пункту

II.17.1.3.1. не распространяется на конструкцию

и технологию производства приборов, специально

спроектированных для бытовой электроники или

развлечений

II.17.1.3.2. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства приборов на поверхностных

акустических волнах в тонкой подложке, указанных

в пунктах I.16.1.3.1. - I.16.1. 3.1.2.

II.17.1.3.3. Конструкция и технология производства приборов

на объемных акустических волнах (т.е. приборов

для обработки сигналов, использующих упругие

волны в материале), обеспечивающих

непосредственную обработку сигналов на частотах

свыше 1 ГГц

II.17.1.3.4. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства приборов на объемных акустических

волнах, указанных в пункте I.16.1.3.2.

II.17.1.3.5. Конструкция и технология производства

акустооптических приборов обработки сигналов,

использующих взаимодействие между акустическими

волнами (объемными или поверхностными) и

световыми волнами, что обеспечивает

непосредственную обработку сигналов или

изображения, включая анализ спектра, корреляцию

или свертку

Примечание. Экспортный контроль по пункту

II.17.1.3.5. не распространяется на конструкцию

и технологию производства приборов, специально

спроектированных для гражданского телевидения,

видео- или амплитудно модулированной и частотно

модулированной широковещательной аппаратуры

II.17.1.3.6. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства акустооптических приборов обработки

сигналов, указанных в пункте I.16.1.3.3.

II.17.1.4. Конструкция и технология производства

электронных приборов или схем, содержащих

элементы, изготовленные из сверхпроводящих

материалов, специально спроектированных для

работы при температурах ниже критической

температуры хотя бы одной из сверхпроводящих

составляющих, имеющих хотя бы один из следующих

признаков:

II.17.1.4.1. наличие электромагнитного усиления на

частотах, равных или ниже 31 ГГц, с уровнем

шумов ниже 0,5 дБ или на частотах свыше 31

ГГц;

II.17.1.4.2. наличие токовых переключателей для цифровых

схем, использующих сверхпроводящие вентили,

у которых произведение времени задержки на

вентиль (в секундах) на рассеяние мощности

на вентиль (в ваттах) ниже 10E-14 Дж;

II.17.1.4.3. обеспечение селекции частоты на всех

диапазонах частот с использованием

резонансных контуров с добротностью свыше

10000

II.17.1.5. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства электронных приборов или схем,

содержащих элементы, изготовленные из

сверхпроводящих материалов, указанных в пунктах

I.16.1.4. - I.16.1.4.3.

II.17.1.6. Конструкция и технология производства

вращающихся преобразователей абсолютного

углового положения вала в код, имеющих хотя бы

один из следующих признаков:

II.17.1.6.1. разрешение лучше чем 1/265000 от полного

диапазона (18 бит);

II.17.1.6.2. точность лучше чем +-2,5 угл. с

II.17.1.7. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства вращающихся преобразователей

абсолютного углового положения вала в код,

указанных в пунктах I.16.1.5. - I.16.1.5.2.

II.17.1.8. Конструкция и технология производства вакуумных

микроэлектронных приборов

II.17.1.9. Конструкция и технология производства

полупроводниковых приборов с гетероструктурой,

например, транзисторов с высокой подвижностью

электронов (ВПЭТ), биполярных транзисторов на

гетероструктуре (ГБТ), приборов на эффекте

потенциальной ямы или приборов на сверхрешетках

II.17.1.10. Конструкция и технология производства

электронных приборов со сверхпроводимостью

II.17.2. Конструкция и технология производства

электронной аппаратуры общего назначения

II.17.2.1. Конструкция и технология производства

записывающей аппаратуры

II.17.2.1.1. Конструкция и технология производства

накопителей на магнитной ленте для аналоговой

аппаратуры, включая накопители с возможностью

записи цифровых сигналов (т.е. использующей

модуль цифровой записи высокой плотности),

имеющих хотя бы один из следующих признаков:

II.17.2.1.1.1. полоса частот превышает 4 МГц на

электронный канал или дорожку;

II.17.2.1.1.2. полоса частот превышает 2 МГц на

электронный канал или дорожку при числе

дорожек более 42;

II.17.2.1.1.3. ошибка рассогласования временной шкалы

менее +-0,1 мкс

II.17.2.1.2. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства накопителей на магнитной ленте для

аналоговой аппаратуры, указанных в пунктах

I.16.2.1.1. - I.16.2.1.1.3.

II.17.2.1.3. Конструкция и технология производства цифровых

видеомагнитофонов, имеющих максимальную

пропускную способность цифрового интерфейса

свыше 180 Мбит/с, кроме специально

спроектированных для телевизионной записи по

стандартам или рекомендациям для гражданского

телевидения

II.17.2.1.4. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства цифровых видеомагнитофонов,

указанных в пункте I.16.2.1.2.

II.17.2.1.5. Конструкция и технология производства

накопителей на магнитной ленте для цифровой

аппаратуры, имеющих хотя бы один из следующих

признаков:

II.17.2.1.5.1. максимальная пропускная способность

цифрового интерфейса свыше 60 Мбит/с и

использование методов спирального

сканирования;

II.17.2.1.5.2. максимальная пропускная способность

цифрового интерфейса свыше 120 Мбит/с и

использование фиксированных магнитных

головок;

II.17.2.1.5.3. по техническим условиям пригодны для

космического применения

Примечание. Экспортный контроль по пункту

II.17.2.5.3. не распространяется на конструкцию

и технологию производства аналоговых накопителей

на магнитной ленте, оснащенных электроникой для

преобразования в цифровую запись высокой

плотности и предназначенных для записи только

цифровых данных

II.17.2.1.6. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства накопителей на магнитной ленте для

цифровой аппаратуры, указанных в пунктах

I.16.2.1.3. - I.16.2.1.3.3.

II.17.2.1.7. Конструкция и технология производства аппаратуры

с максимальной пропускной способностью цифрового

интерфейса свыше 60 Мбит/с, спроектированной для

переделки цифровых видеомагнитофонов в

устройство записи данных цифровой аппаратуры

II.17.2.1.8. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства аппаратуры, указанной в пункте

I.16.2.1.4.

II.17.2.2. Конструкция и технология производства сборок

синтезаторов частоты, имеющих время переключения

с одной заданной частоты на другую менее 1 мс

II.17.2.3. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства сборок синтезаторов частоты,

указанных в пункте I.16.2.2.

II.17.2.4. Конструкция и технология производства

анализаторов сигналов:

II.17.2.4.1. способных анализировать частоты,

превышающие 31 ГГц;

II.17.2.4.2. динамических анализаторов сигналов с

полосой пропускания в реальном масштабе

времени, превышающей 25,6 кГц, кроме тех,

которые используют фильтры с полосой

пропускания фиксированных долей (известные

также как октавные или дробно-октавные

фильтры)

II.17.2.5. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства анализаторов сигналов, указанных в

пунктах I.16.2.3. - I.16.2.3.2.

II.17.2.6. Конструкция и технология производства

генераторов сигналов синтезированных частот,

формирующих выходные частоты с управлением по

параметрам точности, кратковременной и

долговременной стабильностью на основе или с

помощью внутренней эталонной частоты, имеющих

хотя бы один из следующих признаков:

II.17.2.6.1. максимальная синтезируемая частота,

превышающая 31 ГГц;

II.17.2.6.2. время переключения частоты с одной заданной

частоты на другую менее 1 мс;

II.17.2.6.3.

фазовый шум одной боковой полосы (ОБП)

лучше чем -(126+20lg(F)-20lg(f)) в единицах

дБ/Гц,

где F - смещение рабочей частоты в Гц, а f

- рабочая частота в МГц

Примечание. Экспортный контроль по пунктам

II.17.2.6. - II.17.2.6.3. не распространяется на

конструкцию и технологию производства

аппаратуры, в которой выходная частота либо

создается путем сложения или вычитания частот с

двух и более кварцевых генераторов, либо путем

сложения или вычитания с последующим умножением

результирующей частоты

II.17.2.7. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства генераторов сигналов

синтезированных частот, указанных в пунктах

I.16.2.4. - I.16.2.4.3.

II.17.2.8. Конструкция и технология производства сетевых

анализаторов с максимальной рабочей частотой,

превышающей 31 ГГц

Примечание. Экспортный контроль по пункту

II.17.2.8. не распространяется на конструкцию и

технологию производства сетевых анализаторов с

качающейся частотой, рабочая частота которых не

превосходит 40 ГГц и которые не имеют шины

данных для интерфейса дистанционного управления

II.17.2.9. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства сетевых анализаторов, указанных в

пункте I.16.2.5.

II.17.2.10. Конструкция и технология производства

приемников-тестеров микроволнового диапазона,

имеющих максимальную рабочую частоту более 31

ГГц и способных одновременно измерять амплитуду

и фазу

II.17.2.11. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства приемников-тестеров микроволнового

диапазона, указанных в пункте I.16.2.6.

II.17.2.12. Конструкция и технология производства атомных

эталонов частоты, имеющих хотя бы один из

следующих признаков:

II.17.2.12.1. долговременная стабильность (старение)

менее (лучше) 10E-11/ мес;

II.17.2.12.2. по техническим условиям пригодны для

космического применения

Примечание. Экспортный контроль по пункту

II.17.12.1. не распространяется на конструкцию и

технологию производства рубидиевых эталонов, не

предназначенных для космического применения

II.17.2.13. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства атомных эталонов частоты, указанных

в пунктах I.16.2.7. - I.16.2.7.2.

II.17.2.14. Конструкция и технология производства эмуляторов

микросхем, указанных в пунктах I.16.1.1.1. или

I.16.1.1.6.

Примечание. Экспортный контроль по пункту

II.17.2.14. не распространяется на конструкцию и

технологию производства эмуляторов,

спроектированных под семейство, содержащее хотя

бы один прибор, на который не распространяется

экспортный контроль по пунктам I.16.1.1.1. или

I.16.1.1.6.

II.17.2.15. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства эмуляторов микросхем, указанных в

пункте I.16.2.8.

II.17.3. Конструкция и технология производства

оборудования для производства и испытания

полупроводниковых приборов

II.17.3.1. Конструкция и технология производства снабженных

программно-управляемым запоминающим устройством

установок для эпитаксиального выращивания

II.17.3.1.1. Конструкция и технология производства установок

для эпитаксиального выращивания, способных

выдерживать толщину эпитаксиального слоя с

отклонением не более +-2,5% на протяжении не

менее 75 мм вдоль пластины

II.17.3.1.2. Конструкция и технология производства установок

химического осаждения металлорганических паров,

специально предназначенных для выращивания

кристаллов сложных полупроводников с помощью

химических реакций материалов, указанных в

пунктах I.6.11. - I.6.11.4. или I.6.12.

II.17.3.1.3. Конструкция и технология производства установок

молекулярно-лучевой эпитаксии, использующих

газовые источники

II.17.3.2. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования, производства

или применения установок для эпитаксиального

выращивания, указанных в пунктах I.16.3.1. -

I.16.3.1.3.

II.17.3.3. Конструкция и технология производства

многофункциональных фокусируемых ионно - лучевых

систем, снабженных программно - управляемым

запоминающим устройством, специально

спроектированных для производства, ремонта,

анализа физической топологии и тестирования

масок или полупроводниковых приборов, имеющих

хотя бы один из следующих признаков:

II.17.3.3.1. точность управления положением пучка на

мишени 0,25 мкм или лучше;

II.17.3.3.2. разрешающая способность цифро-аналогового

преобразования свыше 12 бит

II.17.3.4. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования, производства

или применения многофункциональных фокусируемых

ионно-лучевых систем, указанных в пунктах

I.16.3.2. - I.16.3.2.2.

II.17.3.5. Конструкция и технология производства

многокамерного центра обработки

полупроводниковых пластин с автоматической

загрузкой и программно-управляющим запоминающим

устройством, имеющего устройства для загрузки и

выгрузки пластин, к которому должны быть

присоединены более двух установок

технологической обработки полупроводников,

образуя комплексную вакуумированную систему для

последовательной многопозиционной обработки

пластин

Примечание. Экспортный контроль по пункту

II.17.3.5. не распространяется на конструкцию и

технологию производства автоматических

робототехнических систем обработки пластин, не

предназначенных для работы в вакууме

II.17.3.6. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования, производства

или применения многокамерного центра обработки

полупроводниковых пластин, указанного в пункте

I.16.3.3.

II.17.3.7. Конструкция и технология производства установок

литографии, снабженных программно-управляющим

запоминающим устройством

II.17.3.7.1. Конструкция и технология производства установок

многократного совмещения и экспонирования для

обработки пластин методами фотооптической или

рентгеновской литографии, имеющих хотя бы один

из следующих признаков:

II.17.3.7.1.1. наличие источника освещения с длиной волны

короче 400 нм;

II.17.3.7.1.2. цифровая апертура свыше 0,40;

II.17.3.7.1.3. точность совмещения +-0,20 мкм (3 сигма)

или лучше

Примечание. Экспортный контроль по пункту

II.17.3.7.1. не распространяется на конструкцию

и технологию производства установок

многократного совмещения и экспонирования,

имеющих длину волны источника освещения 436 нм

или больше, цифровую апертуру 0,38 или меньше,

диаметр изображения 22 мм и меньше

II.17.3.7.2. Конструкция и технология производства установок,

специально спроектированных для производства

масок или обработки полупроводниковых приборов с

использованием отклоняемого фокусируемого

электронного пучка, ионного пучка или лазерного

пучка, имеющих хотя бы один из следующих

признаков:

II.17.3.7.2.1. размер пятна меньше чем 0,2 мкм;

II.17.3.7.2.2. способность производить структуру с

минимальными размерами менее 1 мкм;

II.17.3.7.2.3. точность совмещения лучше +-0,20 мкм (3

сигма)

II.17.3.8. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования, производства

или применения установок литографии, указанных в

пунктах I.16.3.4. - I.16.3.4.2.3.

II.17.3.9. Технология производства масок или фотошаблонов

II.17.3.9.1. Технология производства масок или фотошаблонов

для интегральных схем, указанных в пунктах

I.16.1. - I.16.1.1.8.2.

II.17.3.9.2. Технология производства многослойных масок,

оснащенных фазосдвигающим слоем

II.17.3.10. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования, производства

или применения масок или фотошаблонов, указанных

в пунктах I.16.3.5. - I.16.3.5.2.

II.17.3.11. Информация по способам оптимизации процессов

совмещения скрытых локальных слоев и топологии

интегральных схем с высокой точностью (лучше

+-0,20 мкм)

II.17.3.12. Конструкция и технология производства

испытательной аппаратуры, снабженной

программно-управляющим запоминающим устройством,

специально спроектированной для испытания

полупроводниковых приборов и бескорпусных

кристаллов:

II.17.3.12.1. аппаратуры для замера параметров матрицы

рассеяния на частотах свыше 31 ГГц

II.17.3.12.2. аппаратуры для испытания интегральных схем

и их сборок, способной выполнять

функциональное тестирование (по таблицам

истинности) с частотой тестирования строк

свыше 40 МГц

Примечание. Экспортный контроль по пункту

II.17.3.12.2. не распространяется на конструкцию

и технологию производства аппаратуры, специально

спроектированной для испытаний:

сборок или класса сборок для бытовой электроники

или развлечений;

электронных компонентов, сборок или интегральных

схем, не подлежащих экспортному контролю

II.17.3.12.3. аппаратуры для испытания микроволновых

интегральных схем на частотах, превышающих

31 ГГц;

Примечание. Экспортный контроль по пункту

II.17.3.12.3. не распространяется на конструкцию

и технологию производства аппаратуры, специально

спроектированной для испытаний микроволновых

интегральных схем, для оборудования,

предназначенного или пригодного по техническим

условиям для работы в стандартном гражданском

диапазоне на частотах, не превышающих 31 ГГц

II.17.3.12.4. электронно-лучевых систем, спроектированных

для работы ниже 3 кэВ, или лазерных лучевых

систем для бесконтактного зондирования

запитанных полупроводниковых приборов,

имеющих одновременно стробоскопический

режим либо с затенением луча, либо с

детекторным стробированием и электронный

спектрометр для замера напряжений менее 0,5

В

Примечание. Экспортный контроль по пункту

II.17.3.12.4. не распространяется на конструкцию

и технологию производства сканирующих

электронных микроскопов, кроме тех, которые

специально спроектированы и оснащены для

бесконтактного зондирования запитанных

полупроводниковых приборов

II.17.3.13. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования или

производства аппаратуры испытаний

полупроводниковых приборов и бескорпусных

кристаллов, указанных в пунктах I.16.3.6. -

I.16.3.6.4.

II.17.3.14. Программное обеспечение систем

автоматизированного проектирования (САПР)

полупроводниковых приборов или интегральных

схем, имеющее хотя бы один из следующих

признаков:

II.17.3.14.1. имеются правила проектирования или правила

проверки (верификации) схем;

II.17.3.14.2. обеспечивается моделирование схем по их

физической топологии;

II.17.3.14.3. имеются имитаторы литографических процессов

для проектирования

Примечания: 1. Имитатор литографических

процессов - это пакет программного обеспечения,

используемый на этапе проектирования для

определения последовательности операций

литографии, травления и осаждения с целью

воплощения структур на фотошаблонах в конкретные

топологические структуры проводников,

диэлектриков или полупроводников

2. Экспортный контроль по пунктам II.17.3.14. -

II.17.3.14.3. не распространяется на программное

обеспечение, специально созданное для описания

принципиальных схем, логического моделирования,

раскладки и маршрутизации, создания магнитных

лент для верификации топологии или формирования

рисунка. Библиотеки, проектные атрибуты и

сопутствующие данные для проектирования

полупроводниковых приборов или интегральных схем

рассматриваются как технология

II.17.4. Конструкция и технология производства

радиолокационных станций (РЛС), аппаратуры,

узлов и специально разработанных компонентов

Примечание. Экспортный контроль по пунктам

II.17.4 - II.17.4.20.2. не распространяется на

конструкцию и технологию производства:

РЛС с активным ответом;

автомобильных РЛС для предотвращения

столкновений;

дисплеев и мониторов, используемых для контроля

воздушного движения, имеющих разрешение не более

12 элементов на мм

II.17.4.1. Конструкция и технология производства РЛС,

работающих на частотах от 40 ГГц до 230 ГГц и

имеющих среднюю выходную мощность более 100 мВт

II.17.4.2. Конструкция и технология производства РЛС,

имеющих перестраиваемую частоту в пределах более

чем +-6,25% от центральной рабочей частоты

II.17.4.3. Конструкция и технология производства РЛС,

имеющих возможность работать на двух или более

несущих частотах

II.17.4.4. Конструкция и технология производства РЛС

воздушного базирования, имеющих возможность

функционирования в режимах синтезированной

апертуры, обратной синтезированной апертуры или

бокового обзора

II.17.4.5. Конструкция и технология производства РЛС,

включающих фазированные антенные решетки для

электронного управления лучом

II.17.4.6. Конструкция и технология производства РЛС,

обладающих способностью нахождения высотных

одиночных целей

Примечание. Экспортный контроль по пункту

II.17.4.6. не распространяется на конструкцию и

технологию производства аппаратуры РЛС точной

посадки, удовлетворяющей стандартам ИКАО, и

метеорологических (погодных) РЛС

II.17.4.7. Конструкция и технология производства РЛС,

предназначенных специально для воздушного

базирования и имеющих доплеровскую обработку

сигнала для обнаружения движущихся целей

II.17.4.8. Конструкция и технология производства РЛС,

использующих обработку сигнала методами

расширения спектра или перестройки частоты

II.17.4.9. Конструкция и технология производства РЛС,

обеспечивающих наземное функционирование с

максимальной инструментальной дальностью свыше

185 км

Примечание. Экспортный контроль по пункту

II.17.4.9. не распространяется на конструкцию и

технологию производства наземных РЛС наблюдения

рыбных косяков

II.17.4.10. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования, производства

или применения РЛС, указанных в пунктах

I.16.4.1. - I.16.4.9.

II.17.4.11. Конструкция и технология производства лазерных

локационных станций или лазерных дальномеров

(ЛИДАРов):

II.17.4.11.1. имеющих космическое применение;

II.17.4.11.2. использующих методы когерентного

гетеродинного или гомодинного

детектирования и имеющих угловое разрешение

менее (лучше) 20 мкрад

Примечание. Экспортный контроль по пунктам

II.17.4.11. - II. 17.4.11.2. не распространяется

на конструкцию и технологию производства

ЛИДАРов, специально спроектированных для

метеорологических наблюдений

II.17.4.12. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования, производства

или применения лазерных локационных станций или

лазерных дальномеров, указанных в пунктах

I.16.4.10. - I.16.4.10.2.

II.17.4.13. Конструкция и технология производства РЛС,

имеющих подсистемы обработки сигнала в виде

сжатия импульса с коэффициентом сжатия свыше 150

или шириной импульса менее 200 нс

II.17.4.14. Конструкция и технология производства РЛС,

имеющих подсистемы обработки данных:

II.17.4.14.1. с автоматическим сопровождением целей,

обеспечивающим при любом вращении антенны

предполагаемое положение цели далее, чем до

следующего прохождения луча антенны;

Примечание. Экспортный контроль по пункту

II.17.4.14.1. не распространяется на конструкцию

и технологию производства средств выдачи сигнала

для предупреждения столкновений в системах

контроля воздушного движения, морских или

прибрежных РЛС

II.17.4.14.2. с вычислением скорости цели относительно

РЛС, имеющей непериодическое сканирование;

II.17.4.14.3. для автоматического распознавания образов

(выделение признаков) и сравнения с базами

данных характеристик цели (сигналов или

образов) для идентификации или

классификации целей;

II.17.4.14.4. с наложением, корреляцией или слиянием

данных цели от двух или более

пространственно распределенных на местности

и взаимосвязанных датчиков РЛС для

улучшения различения целей

Примечание. Экспортный контроль по пункту

II.17.4.14.4. не распространяется на конструкцию

и технологию производства систем, оборудования и

узлов для контроля морского движения

II.17.4.15. Конструкция и технология производства импульсных

РЛС измерения площади поперечного сечения с

длительностью импульса 100 нс или менее и

специальными компонентами

II.17.4.16. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования, производства

или применения РЛС, указанных в пунктах

I.16.4.11. - I.16.4.13

II.17.4.17. Программное обеспечение для управления воздушным

движением на компьютерах общего назначения,

находящихся в центрах управления воздушным

движением и обладающих следующими возможностями: