Раздел II.8. Электротехника и энергетика

II.8.1. Технология производства сверхпроводящих

композитных материалов длиной более 100 м или

массой, превышающей 100 г:

II.8.1.1. Технология производства многожильных

сверхпроводящих композитных материалов,

содержащих одну ниобиевую нить или более:

II.8.1.1.1. уложенных в матрицу не из меди или не на

основе медьсодержащего материала;

II.8.1.1.2. с площадью поперечного сечения менее 0,

28x10E-4 кв. мм (6 мкм в диаметре в случае

нитей круглого сечения)

II.8.1.2. Технология производства сверхпроводящих

композитных материалов не из ниобий-титана,

состоящих из одной или более сверхпроводящих

нитей:

с критической температурой при нулевой

магнитной индукции, превышающей 9,85 К

(-263,31 С), но не ниже 24 К (-249,16 С);

с площадью поперечного сечения менее 0,

28x10E-4 кв. мм;

которые остаются в состоянии

сверхпроводимости при температуре 4,2 К

(-268,96 С), находясь в магнитном поле с

магнитной индукцией 12 Т

II.8.2. Информация о результатах исследований и

разработок высокотемпературных сверхпроводников

с критическим магнитным полем, с магнитной

индукцией более 150 Т и критическим током более

1000 МА/кв. м при температуре 77 К (-196 С) для

техники магнитного ускорения объектов

II.8.3. Информация о конструкционных и технологических

решениях в области создания импульсных

источников электроэнергии на основе формирующих

линий с мощностью, превышающей 100 ТВт при

энергии, превышающей 5 МДж

II.8.4. Информация о конструкционных и технологических

решениях в области создания импульсных

источников электроэнергии на основе униполярных

генераторов, предназначенных для медленного

отбора мощности (более 1 с) с запасом энергии

более 100 МДж и быстрого отбора мощности (менее

1 мс) с запасом энергии 1 МДж

II.8.5. Конструкция и технология производства батарей

Примечание. Экспортный контроль не

распространяется на конструкцию и технологию

производства батарей с объемом 26 куб. см и

меньше (например, стандартные угольные

элементы), указанных в пунктах II.8.5. -

II.8.5.3.

II.8.5.1. Конструкция и технология производства первичных

элементов и батарей с плотностью энергии выше

350 Вт х ч/кг, пригодных по техническим условиям

для работы в диапазоне температур от 243 К (-30

С) и ниже до 343 К (70 С) и выше

II.8.5.2. Конструкция и технология производства

подзаряжаемых элементов и батарей с плотностью

энергии свыше 150 Вт х ч/кг после 75 циклов

заряда-разряда при токе разряда, равном С/5 ч

(здесь С - номинальная емкость в А х ч), и при

работе в диапазоне температур от 253 К (-20 С) и

ниже до 333 К (60 С) и выше

II.8.5.3. Конструкция и технология производства

радиационностойких батарей на фотоэлектрических

элементах с удельной мощностью свыше 160 Вт/кв.

м при рабочей температуре 301 К (28 С) и

вольфрамовом источнике, нагретом до 2800 К (2527

С) и создающем энергетическую освещенность 1

кВт/кв. м, пригодных по техническим условиям для

космического применения

II.8.5.4. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования батарей,

указанных в пунктах I.7.2. - I.7.2.3.

II.8.6. Конструкция и технология производства

накопителей энергии

II.8.6.1. Конструкция и технология производства

накопителей энергии с частотой повторения менее

10 Гц (одноразовых накопителей), имеющих

номинальное напряжение не менее 5 кВ, плотность

энергии не менее 250 Дж/кг и общую энергию не

менее 25 кДж

II.8.6.2. Конструкция и технология производства

накопителей энергии с частотой повторения менее

10 Гц и больше (многоразовых накопителей),

имеющих номинальное напряжение не менее 5 кВ,

плотность энергии не менее 50 Дж/кг, общую

энергию не менее 100 Дж и количество циклов

заряда-разряда не менее 10000

II.8.6.3. Конструкция и технология производства схем или

систем для накопления электромагнитной энергии,

содержащих компоненты из сверхпроводящих

материалов, специально спроектированных для

работы при температурах ниже критической

температуры с хотя бы одной из сверхпроводящих

составляющих, имеющих рабочие резонансные

частоты свыше 1 МГц, плотность запасаемой

энергии не менее 1 МДж/куб. м и время разряда

менее 1 мс

II.8.6.4. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования накопителей

энергии, указанных в пунктах I.7.3. - I.7.3.3.

II.8.7. Конструкция и технология производства

сверхпроводящих электромагнитов или соленоидов,

специально спроектированных на полный заряд или

разряд менее чем за минуту, имеющих максимальную

энергию в разряде, деленную на длительность

разряда, свыше 500 кДж/мин, внутренний диаметр

токопроводящих обмоток свыше 250 мм и

номинальную магнитную индукцию свыше 8 Т или

суммарную плотность тока в обмотке больше 300

А/кв. мм

Примечание. Экспортный контроль не

распространяется на конструкцию и технологию

производства сверхпроводящих электромагнитов или

соленоидов, специально спроектированных для

медицинской аппаратуры магниторезонансной

томографии

II.8.7.1. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования сверхпроводящих

электромагнитов или соленоидов, указанных в

пункте I.7.4.

II.8.8. Конструкция и технология производства

рентгеновских систем с короткоимпульсным

разрядом, имеющих пиковую мощность, превышающую

500 МВт, выходное напряжение, превышающее 500

кВт, и ширину импульса менее 0,2 мкс

II.8.8.1. Программное обеспечение, специально

разработанное для проектирования рентгеновских

систем с короткоимпульсным разрядом, указанных в

пункте I.7.5.

II.8.9. Информация о конструкторских решениях,

технологиях, материалах, основных узлах и

системах бортовых ядерных

электроэнергоустановок, позволяющая осуществить

непосредственное воспроизведение или

способствующая ускорению реализации подобных

проектов

II.8.10. Информация о конструкционных и технологических

решениях, позволяющих создать короткоимпульсные

электронные и протонные ускорители с энергией

более 8 МэВ и током в импульсе более 1 кА