Раздел II.7. Материалы и полуфабрикаты для производства изделий электронной техники и оптики

Раздел II.7. Материалы и полуфабрикаты для производства

изделий электронной техники и оптики

II.7.1. Технология изготовления и нанесения

радиопоглощающих покрытий типа ФП-1 и ФП-3 с

коэффициентом отражения менее 15% при

температуре до 623 К (350 С)

II.7.2. Технология производства многослойных структур

кадмий-ртуть-теллур (КРТ) с использованием

вакуумного синтеза

II.7.3. Технологии производства материалов для

оптических датчиков:

II.7.3.1. Технология производства элементарного теллура

(Te) чистотой, равной или более 99,9995%

II.7.3.2. Технология производства монокристаллов теллурида

кадмия (CDTe) любой чистоты включая

эпитаксиальные пластины

II.7.3.3. Технология производства заготовок оптических

волокон, специально предназначенных для

производства волокон с высоким

двулучепреломлением, использующихся в

оптоволоконных датчиках, указанных в пунктах

I.12.2.4.3. - I.12.2.4.3.2.

II.7.4. Технологии производства оптических материалов:

II.7.4.1. Технология производства селенида цинка (ZnSe) и

сульфина цинка (ZnS) в виде пластин-подложек,

изготовляемых в процессе химического осаждения

паров, объемом более 100 куб. см или диаметром

более 80 мм при толщине, равной или более 20 мм

II.7.4.2. Технологии производства слитков следующих

электрооптических материалов:

II.7.4.2.1. арсенида титаната калия (КТА);

II.7.4.2.2. смешанного селенида серебра и галлия

(AgGaSe2);

II.7.4.2.3. смешанного селенида таллия и мышьяка

(TlзAsSeз), также известного как ТАС

II.7.4.3. Технология производства нелинейных оптических

материалов, имеющих восприимчивость третьего

порядка (3), равную или меньшую 1 Вт/кв. м,

время отклика менее 1 мс

II.7.4.4. Технология производства пластинчатых подложек

карбида кремния или осажденных материалов

бериллия/бериллия (Ве/Ве) свыше 300 мм в

диаметре или длины наибольшей оси

II.7.4.5. Технология производства материалов с малым

оптическим поглощением:

II.7.4.5.1. Технология производства сложных соединений

фтора, содержащих ингредиенты с чистотой 99,999%

или более

Примечание. Пункт II.7.4.5.1.

распространяется только на технологию

производства фторидов циркония или алюминия и

подобных соединений

II.7.4.5.2. Технология производства объемных фторсодержащих

стекол, указанных в пункте I.6.9.5.2.

II.7.4.6. Технология производства стекол, содержащих

расплавы кремния, стекол из фосфатов

фторфосфатов, фторида циркония (ZrF4) и фторида

гафния (HfF4) с концентрацией гидроксильных

ионов (OH-) менее 5 промилле интегральными

уровнями чистоты металлов менее 1 промилле,

высокой однородностью (вариацией показателя

преломления менее 5x10E-6)

II.7.4.7. Технология производства синтетического алмазного

материала с поглощением менее 10E-5 см на длине

волны свыше 200 нм, но не более 14000 нм

II.7.4.8. Технология производства оптоволоконных

заготовок, изготовленных из объемных соединений

фторидов, содержащих ингредиенты с чистотой

99,999% или лучше, специально разработанных для

производства фторидных волокон, указанных в

пункте I.12.5.4.

II.7.5. Технологии производства материалов для

кристаллических основ лазеров:

II.7.5.1. сапфира с имплантированным титаном;

II.7.5.2. александрита

II.7.6. Технологии производства материалов резистов и

подложек, покрытых резистами:

II.7.6.1. Технология производства позитивных резистов со

спектральной чувствительностью оптимизированной

на излучение менее 370 нм

II.7.6.2. Технология производства всех резистов,

используемых для экспонирования электронными или

ионными пучками, с чувствительностью не хуже

0,01 мкКл/кв. мм

II.7.6.3. Технология производства всех резистов,

используемых для экспонирования рентгеновскими

лучами, с чувствительностью не хуже 2,5 мДж/кв.

мм

II.7.6.4. Технология производства всех резистов,

оптимизированных под технологию формирования

рисунка, включая силицированные резисты

II.7.7. Технология производства металлорганических

соединений алюминия, галлия или индия, имеющих

чистоту (металлической основы) более 99,999%

II.7.8. Технология производства гидридов фосфора,

мышьяка или сурьмы, имеющих чистоту более

99,999% даже после разбавления нейтральными

газами

Примечание. Технология производства

гидридов, содержащих 20 и более мольных

процентов инертных газов или водорода, не

подлежит экспортному контролю согласно пункту

II.7.8.

II.7.9. Технология производства заготовок стекла или

любых других материалов, оптимизированных для

производства оптических волокон, указанных в

пункте I.12.5.

II.7.10. Технология нанесения покрытий на оптические

волокна, специально предназначенные для

подводного применения