|
Обобщенные трудовые функции
|
Трудовые функции
|
|
код
|
наименование
|
уровень квалификации
|
наименование
|
код
|
уровень (подуровень) квалификации
|
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
|
A
|
Разработка конструкции и технологии изготовления новой модели полупроводникового лазера
|
7
|
Анализ существующих технических решений для реализации параметров разрабатываемой модели полупроводникового лазера
|
A/01.7
|
7
|
|
Организация проведения расчетов для определения необходимых требований к параметрам гетероструктуры и конструкции излучающего элемента полупроводникового лазера
|
A/02.7
|
7
|
|
Разработка технологического маршрута изготовления новой модели полупроводникового лазера
|
A/03.7
|
7
|
|
Организация разработки исходных данных для оформления конструкторской документации на новую модель полупроводникового лазера
|
A/04.7
|
7
|
|
Подготовка исходных данных для оформления документации по патентной защите интеллектуальной собственности
|
A/05.7
|
7
|
|
B
|
Организация контроля параметров и испытаний новой модели полупроводникового лазера
|
7
|
Разработка и согласование со службами организации программы метрологического обеспечения, программы и методики испытаний новой модели полупроводникового лазера
|
B/01.7
|
7
|
|
Разработка технических условий на новую модель полупроводникового лазера и другой документации, предусмотренных техническим заданием
|
B/02.7
|
7
|
|
Организация разработки и изготовления оснастки для проведения измерений и испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров
|
B/03.7
|
7
|
|
Координация выполнения контрагентами заявок на материалы, комплектующие и оборудование, необходимых для проведения испытаний
|
B/04.7
|
7
|
|
Организация проведения испытаний разработанного полупроводникового лазера на соответствие требованиям технического задания
|
B/05.7
|
7
|
|
C
|
Подготовка производства для выпуска новой модели полупроводникового лазера
|
7
|
Определение перечня оборудования и оснастки, необходимых для производства новой модели полупроводникового лазера
|
C/01.7
|
7
|
|
Организация рабочих мест, необходимых для выполнения работ по контролю параметров и испытаний разрабатываемой новой модели полупроводникового лазера
|
C/02.7
|
7
|
|
Организация изготовления опытной партии разработанной новой модели полупроводникового лазера
|
C/03.7
|
7
|
|
Проведение испытаний опытных образцов полупроводникового лазера на соответствие требованиям технического задания
|
C/04.7
|
7
|
|
D
|
Организационно-техническое сопровождение серийного производства новой модели полупроводникового лазера
|
7
|
Согласование методов контроля параметров разработанной модели полупроводникового лазера с учетом условий его серийного производства в организации-изготовителе
|
D/01.7
|
7
|
|
Согласование методики входного контроля при поставке полупроводниковых лазеров заказчику
|
D/02.7
|
7
|
|
Подготовка исходных данных, необходимых для оформления рекламных и информационных сообщений о разработанном изделии
|
D/03.7
|
7
|
|
Корректировка технической документации с целью устранения недостатков, выявленных в процессе производства и эксплуатации изделий
|
D/04.7
|
7
|
|
Согласование решения по корректировке технологических процессов для повышения выхода годных изделий
|
D/05.7
|
7
|
|
Проведение в составе комиссии типовых испытаний, подтверждающих правильность внесенных конструктивных и технологических изменений
|
D/06.7
|
7
|
|
E
|
Подготовка проекта по созданию новой модели полупроводникового лазера
|
8
|
Уточнение условий и режимов эксплуатации, конструктивных особенностей разрабатываемой модели полупроводникового лазера
|
E/01.8
|
8
|
|
Согласование с заказчиком технического задания (технических требований) к новой разрабатываемой модели полупроводникового лазера и объема разрабатываемой документации
|
E/02.8
|
8
|
|
Определение с заказчиком перечня организаций-соисполнителей (организаций-контрагентов)
|
E/03.8
|
8
|
|
Разработка со службами организации организационных и технических мероприятий, необходимых для выполнения проекта
|
E/04.8
|
8
|
|
Подготовка и принятие распорядительного акта о начале реализации проекта по созданию новой модели полупроводникового лазера
|
E/05.8
|
8
|