Документ не применяется. Подробнее см. Справку

8456 Станки для обработки любых материалов путем удаления материала с помощью лазерного или другого светового или фотонного луча, ультразвуковых, электроразрядных, электрохимических, электронно- лучевых, ионно-лучевых или плазменно-дуговых процессов

8456 Станки для обработки любых материалов путем удаления материала с

помощью лазерного или другого светового или фотонного луча,

ультразвуковых, электроразрядных, электрохимических, электронно-

лучевых, ионно-лучевых или плазменно-дуговых процессов:

8456 10 - работающие с использованием процессов лазерного или

другого светового или фотонного излучения

8456 20 - работающие с использованием ультразвуковых процессов

8456 30 - работающие с использованием электроразрядных

процессов

8456 90 - прочие

Станки данной товарной позиции представляют собой машины для формообразования или обработки поверхности любого материала. Они должны соответствовать трем основным требованиям:

i) они должны производить обработку путем удаления материала;

ii) они должны выполнять операции того же типа, что и станки с обычными инструментами;

iii) они должны использовать один из семи следующих процессов обработки: лазерным или другим световым или фотонным лучом, ультразвуковым, электроразрядным, электрохимическим, электронно-лучевым, ионно-лучевым или плазменно-дуговым способом.

Данная товарная позиция не включает следующие виды станков, которые включаются в товарную позицию 8486:

i) станки для обработки любого материала посредством удаления материала, используемые исключительно или в основном для производства полупроводниковых булей или пластин, полупроводниковых приборов, электронных интегральных схем или плоских дисплейных панелей;

ii) станки для обработки любого материала посредством удаления материала, используемые исключительно или в основном для производства или восстановления масок и шаблонов;

iii) станки для сухого травления рисунка на полупроводниковых материалах.

Примерами описанных выше товаров могут быть (1) станки для сверления полупроводниковых кристаллов, использующие лазерный луч и (2) ультразвуковые станки для резки полупроводниковых кристаллов или резки или сверления керамических подложек для интегральных микросхем.