3.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование

3.2. Испытательное, контрольное и

производственное оборудование

3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для

производства полупроводниковых

приборов или материалов и

специально разработанные

компоненты и оснастка для них:

3.2.1.1. Оборудование для эпитаксиального

выращивания:

3.2.1.1.1. Оборудование, обеспечивающее 8486 10 000 9

производство слоя из любого

материала, отличного от кремния,

с отклонением равномерности

толщины менее +/- 2,5% на

расстоянии 75 мм или более;

3.2.1.1.2. Установки (реакторы) для 8486 20 900 9

химического осаждения из паровой

фазы металлоорганических

соединений, специально

разработанные для выращивания

кристаллов полупроводниковых

соединений с использованием

материалов, контролируемых по

пункту 3.3.3 или 3.3.4, в качестве

исходных

Особое примечание.

В отношении оборудования,

указанного в пункте 3.2.1.1.2, см.

также пункт 3.2.1 раздела 2;

3.2.1.1.3. Оборудование для 8486 10 000 9

молекулярно-эпитаксиального

выращивания с использованием

газообразных или твердых

источников;

3.2.1.2. Оборудование, предназначенное для 8486 20 900 9

ионной имплантации, имеющее любую

из следующих характеристик:

а) энергию пучка (ускоряющее

напряжение) более 1 МэВ;

б) специально спроектированное и

оптимизированное для работы с

энергией пучка (ускоряющим

напряжением) менее 2 кэВ;

в) имеет возможность

непосредственного формирования

рисунка; или

г) энергию пучка 65 кэВ или более

и силу тока пучка 45 мА или более

для высокоэнергетической

имплантации кислорода в нагретую

подложку полупроводникового

материала;

3.2.1.3. Оборудование для сухого

анизотропного плазменного

травления:

3.2.1.3.1. Оборудование с подачей заготовок 8456 90 000 0;

из кассеты в кассету и шлюзовой 8486 20 900 2

загрузкой, имеющее любую из

следующих характеристик:

а) разработанное или

оптимизированное для производства

структур с критическим размером

180 нм или менее и погрешностью

(3сигма), равной +/- 5%; или

б) разработанное для обеспечения

чистоты лучше 0,04 частицы на

кв. см, при этом измеряемый размер

частицы более 0,1 мкм в диаметре;

3.2.1.3.2. Оборудование, специально 8456 90 000 0;

спроектированное для систем, 8486 20 900 2

контролируемых по пункту 3.2.1.5,

и имеющее любую из следующих

характеристик:

а) разработанное или

оптимизированное для производства

структур с критическим размером

180 нм или менее и погрешностью

(3сигма), равной +/- 5%; или

б) разработанное для обеспечения

чистоты лучше 0,04 частицы на

кв. см, при этом измеряемый размер

частицы более 0,1 мкм в диаметре;

3.2.1.4. Оборудование химического осаждения 8419 89 300 0;

из паровой фазы с применением 8486 20 900 9

плазменного разряда, ускоряющего

процесс:

3.2.1.4.1. Оборудование с подачей заготовок

из кассеты в кассету и шлюзовой

загрузкой, разработанное в

соответствии с техническими

условиями производителя или

оптимизированное для использования

в производстве полупроводниковых

устройств с критическим размером

180 нм или менее;

3.2.1.4.2. Оборудование, специально

спроектированное для систем,

контролируемых по пункту 3.2.1.5,

и разработанное в соответствии с

техническими условиями

производителя или оптимизированное

для использования в производстве

полупроводниковых устройств с

критическим размером 180 нм или

менее;

3.2.1.5. Автоматически загружаемые 8456 10 00;

многокамерные системы с 8456 90 000 0;

центральной загрузкой 8479 50 000 0;

полупроводниковых пластин 8486 20 900 2;

(подложек), имеющие все следующие 8486 20 900 3

характеристики:

а) интерфейсы для загрузки и

выгрузки пластин (подложек), к

которым присоединяется более двух

единиц оборудования для обработки

полупроводников; и

б) предназначенные для

интегрированной системы

последовательной многопозиционной

обработки пластин (подложек) в

вакууме

Примечание.

По пункту 3.2.1.5 не

контролируются автоматические

робототехнические системы

управления загрузкой пластин

(подложек), не предназначенные для

работы в вакууме;

3.2.1.6. Оборудование для литографии:

3.2.1.6.1. Оборудование для обработки пластин 8443 39 290 0

с использованием методов

оптической или рентгеновской

литографии с пошаговым совмещением

и экспозицией (непосредственно на

пластине) или сканированием

(сканер), имеющее любое из

следующего:

а) источник света с длиной волны

короче 245 нм; или

б) возможность формирования

рисунка с минимальным разрешаемым

размером элемента 180 нм и менее

Техническое примечание.

Минимальный разрешаемый размер

элемента (МРР) рассчитывается по

следующей формуле:

МРР = (длина волны источника света

в нанометрах) х (К фактор) /

(числовая апертура),

где К фактор = 0,45;

3.2.1.6.2. Литографическое оборудование для 8443 39;

печати, способное создавать 8486 20 900

элементы размером 180 нм или менее

Примечание.

Пункт 3.2.1.6.2 включает:

а) инструментальные средства для

микроконтактной литографии;

б) инструментальные средства для

горячего тиснения;

в) литографические

инструментальные средства для

нанопечати;

г) литографические

инструментальные средства для

поэтапной и мгновенной печати;

3.2.1.6.3. Оборудование, специально 8456 10 00;

разработанное для изготовления 8486 20 900 3;

шаблонов или производства 8486 40 000 1

полупроводниковых приборов с

использованием методов

непосредственного формирования

рисунка, имеющее все

нижеследующее:

а) использующее отклоняемый

сфокусированный электронный,

ионный или лазерный пучок; и

б) имеющее любую из следующих

характеристик:

размер пятна менее 0,2 мкм;

возможность формирования рисунка с

размером элементов менее 1 мкм;

или точность совмещения слоев

лучше +/- 0,20 мкм (3 сигма);

3.2.1.7. Маски и промежуточные шаблоны, 8486 90 900 3

разработанные для производства

интегральных схем, контролируемых

по пункту 3.1.1;

3.2.1.8. Многослойные шаблоны с 8486 90 900 3

фазосдвигающим слоем

Примечание.

По пункту 3.2.1.8 не

контролируются многослойные

шаблоны с фазосдвигающим слоем,

разработанные для изготовления

запоминающих устройств, не

контролируемых по пункту 3.1.1

3.2.1.9. Литографические шаблоны для 8486 90 900 3

печати, разработанные для

интегральных схем, контролируемых

по пункту 3.1.1

3.2.2. Оборудование, специально

разработанное для испытания

готовых или находящихся в разной

степени изготовления

полупроводниковых приборов, и

специально разработанные для этого

компоненты и приспособления:

3.2.2.1. Для измерения S-параметров 9031 80 380 0

транзисторных приборов на частотах

выше 31,8 ГГц;

3.2.2.2. Исключен. - Указ Президента РФ от 01.12.2005

N 1384

Примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от

01.12.2005 N 1384

Техническое примечание. Исключено. - Указ

Президента РФ от 01.12.2005 N 1384;

3.2.2.2. Для испытания микроволновых 9030;

интегральных схем, контролируемых 9031 20 000 0;

по пункту 3.1.1.2.2 9031 80 380 0