Раздел I.6. Сырье, материалы, полуфабрикаты для производства изделий электронной техники и оптики

Раздел I.6. Сырье, материалы, полуфабрикаты для

производства изделий электронной техники и оптики

I.6.1. Эпитаксиальные структуры кремния на 38100100

сапфире (КНС) для КМОП интегральных

схем

I.6.2. Арсенид галлия монокристаллический 284290900;

нелегированный в слитках и пластинах 381800900

диаметром 100 мм и более с удельным

сопротивлением более 10E8 Ом/см и

плотностью дислокаций менее

10E2-10E3 1/кв. см для производства

сверхскоростных интегральных схем

(ССИС)

I.6.3. Эпитаксиальные структуры германия на 381800900

подложке

I.6.4. Эпитаксиальные структуры соединений 381800900

А3В5

I.6.5. Монокристаллы тройных соединений 381800900;

кадмий-ртуть-теллур (КРТ) любой 284290100;

чистоты, включая эпитаксиальные 284290900

пластины

I.6.6. Порошки ферритовые марганец-цинковые 720529000;

811100110

I.6.7. Горный хрусталь первого сорта 710310000

I.6.8. Материалы для оптических датчиков

I.6.8.1. Элементарный теллур (Te) чистотой, 280450900

равной или более 99,9995%

I.6.8.2. Монокристаллы теллурида кадмия 381800900

(CdTe) любой чистоты, включая

эпитаксиальные пластины

I.6.8.3. Заготовки оптических волокон, 701990990

специально предназначенные для

производства волокон с высоким

двулучепреломлением, использующихся

в оптоволоконных датчиках, указанных

пункте I.12.2.5.2.

I.6.9. Оптические материалы

I.6.9.1. Селенид цинка (ZnSe) и сульфид цинка 284290100;

(ZnS) в виде пластин-подложек, 283020000

изготовляемых химическим осаждением

паров, объемом более 100 куб. см или

диаметром более 80 мм при толщине,

равной или более 20 мм

I.6.9.2. Слитки следующих электрооптических

материалов:

I.6.9.2.1. арсенид титаната калия (КТА); 284290900

I.6.9.2.2. смешанный селенид серебра и галлия 284290100

(Ag aSe2);

I.6.9.2.3. смешанный селенид таллия и мышьяка 284290100

(Tl3AsSl3), также известный как ТАS

I.6.9.3. Нелинейные оптические материалы, 702000900

имеющие восприимчивость третьего

порядка (3), равную или меньшую 1

Вт/кв. м, время отклика менее 1 мс

I.6.9.4. Пластинчатые подложки карбида 284920000;

кремния или осажденных материалов 811219000

бериллия/бериллия (Ве/Ве) свыше 300

мм в диаметре или длины наибольшей

оси

I.6.9.5. Материалы с малым оптическим

поглощением

I.6.9.5.1. сложные соединения фтора, содержащие 282690900;

ингредиенты с чистотой 99,999% или 702000900

более

Примечание. По пункту I.6.9.5.1.

подлежат экспортному контролю только

фториды циркония или алюминия и

подобные соединения

I.6.9.5.2. объемные фторсодержащие стекла из 700100910;

соединений, указанных в пункте 700100990;

I.6.9.5.1. 702000900

I.6.9.6. Стекло, содержащее расплавы кремния, 700100900;

стекло из фосфатов, фторфосфатов, 702000900

фторида циркония (Zr4) и фторида

гафния (Hf4) с концентрацией

гидроксильных ионов (OH-) менее 5

промилле, интегральными уровнями

чистоты металлов менее 1 промилле,

высокой однородностью (вариацией

показателя преломления менее

5x10E-6)

I.6.9.7. Синтетический алмазный материал с 710490000;

поглощением менее 10E-5 см на длине 710510000

волны свыше 200 нм, но не более

14000 нм

I.6.9.8. Оптоволоконные заготовки, 701910590

изготовленные из объемных соединений

фторидов, содержащих ингредиенты с

чистотой 99,999% или более,

специально разработанные для

производства фторидных волокон,

указанных в пункте I.12.5.4.

I.6.10. Кристаллические основы лазеров в

необработанном виде:

I.6.10.1. сапфир с имплантированным титаном; 710310000

I.6.10.2. александрит 710310000

I.6.11. Материалы резистов и подложки,

покрытые резистами

I.6.11.1. Позитивные резисты со спектральной 854140990

чувствительностью, оптимизированной

на излучение с длиной волны менее

370 нм

I.6.11.2. Все резисты, используемые для 854140990

экспонирования электронными или

ионными пучками, с чувствительностью

не хуже 0,01 мкКл/кв. мм

I.6.11.3. Все резисты, используемые для 854140990

экспонирования рентгеновскими

лучами, с чувствительностью не хуже

2,5 мДж/кв. мм

I.6.11.4. Все резисты, оптимизированные под 854140990

технологию формирования рисунка,

включая силицированные резисты

Примечание. Методы силицирования

- это процессы, включающие

оксидирование поверхности резиста

для повышения качества мокрого

и сухого проявления

I.6.12. Металлорганические соединения 293100900

алюминия, галлия или индия, имеющие

чистоту металлической основы более

99,999%

I.6.13. Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, 285000100

имеющие чистоту более 99,999%, даже

после разбавления нейтральными

газами

Примечание. Гидриды, содержащие

20 и более мольных процентов

инертных газов или водорода, не

подлежат экспортному контролю по

пункту I.6.13.

I.6.14. Заготовки стекла или любых других 702000900

материалов, оптимизированных для

производства оптических волокон,

указанных в пунктах I.12.5. -

I.12.5.4.