Документ утратил силу или отменен. Подробнее см. Справку

3.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование

3.2. Испытательное, контрольное и

производственное оборудование

3.2.1. Установки (реакторы) для 8486 20 900 9

химического осаждения из паровой

фазы металлоорганических

соединений, специально

разработанные для выращивания

кристаллов полупроводниковых

соединений с использованием

материалов, контролируемых по

пункту 3.3.3 или 3.3.4 раздела 1,

в качестве исходных

(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008

N 326)

(см. текст в предыдущей редакции)