Категория 3. Электроника

│ │ Категория 3. Электроника │ │

│ │ │ │

│3.1. │Системы, оборудование и компоненты │ │

│ │ │ │

│ │ Примечания. 1. Контрольный статус│ │

│ │оборудования и компонентов, указанных в│ │

│ │пункте 3.1, других, нежели те, которые│ │

│ │указаны в пунктах 3.1.1.1.3 -│ │

│ │3.1.1.1.10 или в пункте 3.1.1.1.12,│ │

│ │которые специально разработаны или│ │

│ │имеют те же самые функциональные│ │

│ │характеристики, как и другое│ │

│ │оборудование, определяется по│ │

│ │контрольному статусу другого│ │

│ │оборудования │ │

│ │2. Контрольный статус интегральных│ │

│ │схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 -│ │

│ │3.1.1.1.9 или в пункте 3.1.1.1.12,│ │

│ │программы которых не могут быть│ │

│ │изменены, или разработанных для│ │

│ │выполнения конкретных функций для│ │

│ │другого оборудования, определяется по│ │

│ │контрольному статусу другого│ │

│ │оборудования │ │

│ │ │ │

│ │ Особое примечание. В тех случаях,│ │

│ │когда изготовитель или заявитель не│ │

│ │может определить контрольный статус│ │

│ │другого оборудования, этот статус│ │

│ │определяется контрольным статусом│ │

│ │интегральных схем, указанных в пунктах│ │

│ │3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте│ │

│ │3.1.1.1.12; если интегральная схема│ │

│ │является кремниевой микросхемой│ │

│ │микроЭВМ или микросхемой│ │

│ │микроконтроллера, указанных в пункте│ │

│ │3.1.1.1.3, и имеет длину слова операнда│ │

│ │8 бит или менее, то ее контрольный│ │

│ │статус должен определяться в│ │

│ │соответствии с пунктом 3.1.1.1.3 │ │

│ │ │ │

│3.1.1. │Электронные компоненты, такие, как: │ │

│ │ │ │

│3.1.1.1. │Нижеперечисленные интегральные│ │

│ │микросхемы общего назначения: │ │

│ │ │ │

│ │ Примечания. 1. Контрольный статус│ │

│ │готовых пластин или полуфабрикатов для│ │

│ │их изготовления, на которых│ │

│ │воспроизведена конкретная функция,│ │

│ │оценивается по параметрам, указанным в│ │

│ │пункте 3.1.1.1. │ │

│ │2. Понятие "интегральные схемы"│ │

│ │включает следующие типы: │ │

│ │твердотельные интегральные схемы; │ │

│ │гибридные интегральные схемы; │ │

│ │многокристальные интегральные схемы; │ │

│ │пленочные интегральные схемы, включая│ │

│ │интегральные схемы типа "кремний на│ │

│ │сапфире"; │ │

│ │оптические интегральные схемы. │ │

│ │ │ │

│3.1.1.1.1. │Интегральные схемы, спроектированные│8542 │

│ │или определяемые как радиационно-│ │

│ │стойкие, выдерживающие любое из│ │

│ │следующих воздействий: │ │

│ │а) общую дозу 5 х 1E3 Гр (кремний)│ │

│ │[5 х 1E5 рад (кремний)] или выше; или │ │

│ │б) предел мощности дозы 5 х 1E6 Гр/с│ │

│ │(кремний) [5 х 1E8 рад (кремний)/с]│ │

│ │или выше; │ │

│ │ │ │

│3.1.1.1.2. │Микропроцессорные микросхемы,│8542 │

│ │микрокомпьютерные микросхемы,│ │

│ │микросхемы микроконтроллеров,│ │

│ │интегральные схемы памяти,│ │

│ │изготовленные на полупроводниковых│ │

│ │соединениях, аналого-цифровые│ │

│ │преобразователи, цифроаналоговые│ │

│ │преобразователи, электронно-│ │

│ │оптические или оптические интегральные│ │

│ │схемы для обработки сигналов,│ │

│ │программируемые пользователем│ │

│ │логические устройства, интегральные│ │

│ │схемы для нейронных сетей, заказные│ │

│ │интегральные схемы, у которых функция│ │

│ │неизвестна либо производителю не│ │

│ │известно, распространяется ли│ │

│ │контрольный статус на аппаратуру, в│ │

│ │которой будут использоваться данные│ │

│ │интегральные схемы, процессоры быстрого│ │

│ │преобразования Фурье, интегральные│ │

│ │схемы электрически программируемых│ │

│ │постоянных запоминающих устройств│ │

│ │(ЭППЗУ), программируемые с│ │

│ │ультрафиолетовым стиранием, и│ │

│ │статических запоминающих устройств с│ │

│ │произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие│ │

│ │любую из следующих характеристик: │ │

│ │а) работоспособные при температуре│ │

│ │окружающей среды выше 398 К (+125 град.│ │

│ │C); │ │

│ │б) работоспособные при температуре│ │

│ │окружающей среды ниже 218 К (-55 град.│ │

│ │C); или │ │

│ │в) работоспособные за пределами│ │

│ │диапазона температур окружающей среды│ │

│ │от 218 К (-55 град. C) до 398 К│ │

│ │(+125 град. C) │ │

│ │ │ │

│ │Примечание. Пункт 3.1.1.1.2 не│ │

│ │распространяется на интегральные схемы,│ │

│ │применяемые для гражданских автомобилей│ │

│ │и железнодорожных поездов; │ │

│ │ │ │

│3.1.1.1.3. │Микропроцессорные микросхемы,│ │

│ │микрокомпьютерные микросхемы и│ │

│ │микросхемы микроконтроллеров, имеющие│ │

│ │любую из следующих характеристик: │ │

│ │ │ │

│ │ Примечание. Пункт 3.1.1.1.3│ │

│ │включает процессоры цифровых сигналов,│ │

│ │цифровые матричные процессоры и│ │

│ │цифровые сопроцессоры. │ │

│ │ │ │

│3.1.1.1.3.1. │Совокупную теоретическую│8542 21 45; │

│ │производительность (СТП) 3500 млн.│8542 21 500 0;│

│ │теоретических операций в секунду│8542 21 83; │

│ │(Мтопс) или более и арифметико-│8542 21 850 0;│

│ │логическое устройство с длиной выборки│8542 60 000 │

│ │32 бита или более; │ │

│ │ │ │

│3.1.1.1.3.2. │Изготовленные на полупроводниковых│8542 21 45; │

│ │соединениях и работающие на тактовой│8542 21 500 0;│

│ │частоте, превышающей 40 МГц; или │8542 21 83; │

│ │ │8542 21 850 0;│

│ │ │8542 60 000 │

│ │ │ │

│3.1.1.1.3.3. │Более чем одну шину данных или команд,│8542 21 45; │

│ │или порт последовательной связи│8542 21 500 0;│

│ │для внешнего межсоединения в│8542 21 83; │

│ │параллельный процессор со скоростью│8542 21 850 0;│

│ │передачи, превышающей 2,5 Мбит/с │8542 60 000 │

│ │ │ │

│3.1.1.1.4. │Интегральные схемы памяти,│8542 21 45; │

│ │изготовленные на полупроводниковых│8542 21 500 0;│

│ │соединениях; │8542 21 83; │

│ │ │8542 21 850 0;│

│ │ │8542 60 000 │

│ │ │ │

│3.1.1.1.5. │Интегральные схемы для аналого-│8542 29 600 0;│

│ │цифровых и цифроаналоговых│8542 29 900 9;│

│ │преобразователей, такие, как: │8542 60 000 9 │

│ │а) аналого-цифровые преобразователи,│ │

│ │имеющие любую из следующих│ │

│ │характеристик: │ │

│ │1) разрешающую способность 8 бит или│ │

│ │более, но меньше 12 бит с общим│ │

│ │временем преобразования менее 10 нс; │ │

│ │2) разрешающую способность 12 бит с│ │

│ │общим временем преобразования менее 200│ │

│ │нс; или │ │

│ │3) разрешающую способность более 12 бит│ │

│ │с общим временем преобразования менее 2│ │

│ │мкс; │ │

│ │б) цифроаналоговые преобразователи с│ │

│ │разрешающей способностью 12 бит и более│ │

│ │и временем выхода на установившийся│ │

│ │режим менее 10 нс; │ │

│ │ │ │

│ │ Технические примечания. 1.│ │

│ │Разрешающая способность n битов│ │

│ │соответствует 2n уровням квантования. │ │

│ │2. Общее время преобразования является│ │

│ │обратной величиной разрешающей│ │

│ │способности. │ │

│ │ │ │

│3.1.1.1.6. │Электронно-оптические и оптические│8542 │

│ │интегральные схемы для обработки│ │

│ │сигналов, имеющие одновременно все│ │

│ │перечисленные составляющие: │ │

│ │а) один внутренний лазерный диод или│ │

│ │более; │ │

│ │б) один внутренний светочувствительный│ │

│ │элемент или более; и │ │

│ │в) оптические волноводы; │ │

│ │ │ │

│3.1.1.1.7. │Программируемые пользователем│8542 21 690 0;│

│ │логические устройства, имеющие любую из│8542 21 990 0 │

│ │следующих характеристик: │ │

│ │а) эквивалентное количество годных│ │

│ │вентилей более 30000 (в пересчете на│ │

│ │двухвходовые); или │ │

│ │б) типовое время задержки основного│ │

│ │логического элемента менее 0,4 нс; │ │

│ │в) частоту переключения, превышающую│ │

│ │133 МГц │ │

│ │ │ │

│ │ Примечание. Пункт 3.1.1.1.7│ │

│ │включает: │ │

│ │простые программируемые логические│ │

│ │устройства (ППЛУ); │ │

│ │сложные программируемые логические│ │

│ │устройства (СПЛУ); │ │

│ │программируемые пользователем│ │

│ │вентильные матрицы (ППВМ); │ │

│ │программируемые пользователем│ │

│ │логические матрицы (ППЛМ); │ │

│ │программируемые пользователем│ │

│ │межсоединения (ППМС). │ │

│ │ │ │

│ │ Особое примечание. Программируемые│ │

│ │пользователем логические устройства│ │

│ │также известны как программируемые│ │

│ │пользователем вентильные или│ │

│ │программируемые пользователем│ │

│ │логические матрицы. │ │

│ │ │ │

│3.1.1.1.8. │Исключен; │ │

│ │ │ │

│3.1.1.1.9. │Интегральные схемы для нейронных сетей;│8542 │

│ │ │ │

│3.1.1.1.10. │Заказные интегральные схемы, у которых│8542 21 690 0;│

│ │функция неизвестна либо производителю│8542 21 990 0;│

│ │неизвестно, распространяется ли│8542 29; │

│ │контрольный статус на аппаратуру, в│8542 60 000 │

│ │которой будут использоваться данные│ │

│ │интегральные схемы, имеющие любую из│ │

│ │следующих характеристик: │ │

│ │а) свыше 208 выводов; │ │

│ │б) типовое время задержки основного│ │

│ │логического элемента менее 0,35 нс; или│ │

│ │в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц; │ │

│ │ │ │

│3.1.1.1.11. │Цифровые интегральные схемы,│8542 │

│ │отличающиеся от указанных в пунктах│ │

│ │3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и 3.1.1.1.12,│ │

│ │созданные на основе какого-либо│ │

│ │полупроводникового соединения и имеющие│ │

│ │любую из следующих характеристик: │ │

│ │а) эквивалентное количество годных│ │

│ │вентилей более 3000 (в пересчете на│ │

│ │двухвходовые); или │ │

│ │б) частоту переключения, превышающую│ │

│ │1,2 ГГц; │ │

│ │ │ │

│3.1.1.1.12. │Процессоры быстрого преобразования│8542 21 45; │

│ │Фурье, имеющие любую из следующих│8542 21 500 0;│

│ │характеристик: │ │

│ │а) расчетное время выполнения│ │

│ │комплексного 1024-точечного быстрого│ │

│ │преобразования Фурье менее 1 мс; │ │

│ │б) расчетное время выполнения│8542 21 83; │

│ │комплексного N-точечного сложного│8542 21 850 0;│

│ │быстрого преобразования Фурье,│ │

│ │отличного от 1024-точечного, менее, чем│ │

│ │N log2N / 10240 мс, где N - число│ │

│ │точек; или │ │

│ │в) производительность алгоритма│8542 60 000 │

│ │"бабочка" более 5,12 МГц │ │

│ │ │ │

│3.1.1.2. │Компоненты микроволнового или│ │

│ │миллиметрового диапазона, такие, как: │ │

│ │ │ │

│3.1.1.2.1. │Нижеперечисленные электронные вакуумные│ │

│ │лампы и катоды: │ │

│ │ │ │

│ │ Примечание. По пункту 3.1.1.2.1 не│ │

│ │контролируются лампы, разработанные или│ │

│ │спроектированные для работы в│ │

│ │стандартном диапазоне частот,│ │

│ │установленном Международным союзом│ │

│ │электросвязи, с частотами, не│ │

│ │превышающими 31 ГГц. │ │

│ │ │ │

│3.1.1.2.1.1. │Лампы бегущей волны импульсного или│8540 79 000 0 │

│ │непрерывного действия, такие, как: │ │

│ │а) работающие на частотах, превышающих│ │

│ │31 ГГц; │ │

│ │б) имеющие элемент подогрева катода со│ │

│ │временем от включения до выхода лампы│ │

│ │на предельную радиочастотную мощность│ │

│ │менее 3 с; │ │

│ │в) лампы с сопряженными резонаторами│ │

│ │или их модификации с мгновенной│ │

│ │шириной полосы частот более 7% или│ │

│ │пиком мощности, превышающим 2,5 кВт; │ │

│ │г) спиральные лампы или их модификации,│ │

│ │имеющие любую из следующих│ │

│ │характеристик: │ │

│ │1) мгновенную ширину полосы более одной│ │

│ │октавы и произведение средней мощности│ │

│ │(выраженной в кВт) на рабочую частоту│ │

│ │(выраженную в ГГц) более 0,5; │ │

│ │2) мгновенную ширину полосы в одну│ │

│ │октаву или менее и произведение средней│ │

│ │мощности (выраженной в кВт) на рабочую│ │

│ │частоту (выраженную в ГГц) более 1; или│ │

│ │3) годные для применения в космосе; │ │

│ │ │ │

│3.1.1.2.1.2. │Лампы-усилители магнетронного типа с│8540 71 000 0 │

│ │коэффициентом усиления более 17 дБ; │ │

│ │ │ │

│3.1.1.2.1.3. │Импрегнированные катоды,│8540 99 000 0 │

│ │разработанные для электронных ламп,│ │

│ │имеющих плотность тока при непрерывной│ │

│ │эмиссии и штатных условиях│ │

│ │функционирования, превышающую 5 А/кв.│ │

│ │см │ │

│ │ │ │

│3.1.1.2.2. │Микроволновые интегральные схемы или│8542 29; │

│ │модули, │8542 60 000; │

│ │а) содержащие твердотельные│8542 70 000 0 │

│ │интегральные схемы; и │ │

│ │б) работающие на частотах выше 3 ГГц │ │

│ │ │ │

│ │ Примечание. По пункту 3.1.1.2.2│ │

│ │не контролируются схемы или модули│ │

│ │оборудования, спроектированного для│ │

│ │работы в стандартном диапазоне частот,│ │

│ │установленном Международным союзом│ │

│ │электросвязи, не превышающем 31 ГГц; │ │

│ │ │ │

│3.1.1.2.3. │Микроволновые транзисторы,│8541 21 000 0;│

│ │предназначенные для работы на частотах,│8541 29 000 0 │

│ │превышающих 31 ГГц; │ │

│ │ │ │

│3.1.1.2.4. │Микроволновые твердотельные усилители,│8543 89 950 0 │

│ │имеющие любую из следующих│ │

│ │характеристик: │ │

│ │а) работающие на частотах свыше│ │

│ │10,5 ГГц и имеющие мгновенную ширину│ │

│ │полосы частот более пол-октавы; │ │

│ │б) работающие на частотах свыше 31 ГГц;│ │

│ │ │ │

│3.1.1.2.5. │Фильтры с электронной или магнитной│8543 89 950 0 │

│ │настройкой, содержащие более пяти│ │

│ │настраиваемых резонаторов,│ │

│ │обеспечивающих настройку в полосе│ │

│ │частот с соотношением максимальной и│ │

│ │минимальной частот 1,5:1 (fmax / fmin)│ │

│ │менее чем за 10 мкс, имеющие любую из│ │

│ │следующих составляющих: │ │

│ │а) полосовые фильтры, имеющие полосу│ │

│ │пропускания частоты более 0,5% от│ │

│ │резонансной частоты; или │ │

│ │б) заградительные фильтры, имеющие│ │

│ │полосу подавления частоты менее 0,5%│ │

│ │от резонансной частоты; │ │

│ │ │ │

│3.1.1.2.6. │Микроволновые сборки, способные│8542 70 000 0 │

│ │работать на частотах, превышающих │ │

│ │31 ГГц; │ │

│ │ │ │

│3.1.1.2.7. │Смесители и преобразователи,│8543 89 950 0 │

│ │разработанные для расширения частотного│ │

│ │диапазона аппаратуры, указанной в│ │

│ │пунктах 3.1.2.3, 3.1.2.5 или 3.1.2.6; │ │

│ │ │ │

│3.1.1.2.8. │Микроволновые усилители мощности СВЧ,│8543 89 950 0 │

│ │содержащие лампы, контролируемые по│ │

│ │пункту 3.1.1.2, и имеющие все следующие│ │

│ │характеристики: │ │

│ │а) рабочие частоты свыше 3 ГГц; │ │

│ │б) среднюю плотность выходной мощности,│ │

│ │превышающую 80 Вт/кг; и │ │

│ │в) объем менее 400 куб. см │ │

│ │ │ │

│ │ Примечание. По пункту 3.1.1.2.8 не│ │

│ │контролируется аппаратура,│ │

│ │разработанная или пригодная для работы│ │

│ │на стандартных частотах, установленных│ │

│ │Международным союзом электросвязи │ │

│ │ │ │

│3.1.1.3. │Приборы на акустических волнах и│ │

│ │специально спроектированные для них│ │

│ │компоненты, такие, как: │ │

│ │ │ │

│3.1.1.3.1. │Приборы на поверхностных акустических│8541 60 000 0 │

│ │волнах и на акустических волнах в│ │

│ │тонкой подложке (т.е. приборы для│ │

│ │обработки сигналов, использующие│ │

│ │упругие волны в материале), имеющие│ │

│ │любую из следующих характеристик: │ │

│ │а) несущую частоту более 2,5 ГГц; или │ │

│ │б) несущую частоту более 1 ГГц, но не│ │

│ │превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно│ │

│ │имеющие любую из следующих│ │

│ │характеристик: │ │

│ │1) частотное подавление боковых│ │

│ │лепестков диаграммы направленности│ │

│ │более 55 дБ; │ │

│ │2) произведение максимального времени│ │

│ │задержки (в мкс) на ширину полосы│ │

│ │частот (в МГц) более 100; │ │

│ │3) ширину полосы частот более 250 МГц;│ │

│ │или │ │

│ │4) задержку рассеяния, превышающую│ │

│ │10 мкс; или │ │

│ │в) несущую частоту от 1 ГГц и менее и│ │

│ │дополнительно имеющие любую из│ │

│ │следующих характеристик: │ │

│ │1) произведение максимального времени│ │

│ │задержки (в мкс) на ширину полосы│ │

│ │частот (в МГц) более 100; │ │

│ │2) задержку рассеяния, превышающую│ │

│ │10 мкс; или │ │

│ │3) частотное подавление боковых│ │

│ │лепестков диаграммы направленности│ │

│ │более 55 дБ и ширину полосы частот,│ │

│ │превышающую 50 МГц; │ │

│ │ │ │

│3.1.1.3.2. │Приборы на объемных акустических волнах│8541 60 000 0 │

│ │(т.е. приборы для обработки сигналов,│ │

│ │использующие упругие волны в│ │

│ │материале), обеспечивающие│ │

│ │непосредственную обработку сигналов на│ │

│ │частотах свыше 1 ГГц; │ │

│ │ │ │

│3.1.1.3.3. │Акустооптические приборы обработки│8541 60 000 0 │

│ │сигналов, использующие взаимодействие│ │

│ │между акустическими волнами (объемными│ │

│ │или поверхностными) и световыми│ │

│ │волнами, что позволяет непосредственно│ │

│ │обрабатывать сигналы или изображения,│ │

│ │включая анализ спектра, корреляцию или│ │

│ │свертку │ │

│ │ │ │

│3.1.1.4. │Электронные приборы и схемы, содержащие│8540; │

│ │компоненты, изготовленные из│8541; │

│ │сверхпроводящих материалов, специально│8542; │

│ │спроектированные для работы при│8543 │

│ │температурах ниже критической│ │

│ │температуры хотя бы одной из│ │

│ │сверхпроводящих составляющих, имеющие│ │

│ │хотя бы один из следующих признаков: │ │

│ │а) токовые переключатели для цифровых│ │

│ │схем, использующие сверхпроводящие│ │

│ │вентили, у которых произведение времени│ │

│ │задержки на вентиль (в секундах) на│ │

│ │рассеяние мощности на вентиль (в│ │

│ │ваттах) ниже 1E(-14) Дж; или │ │

│ │б) селекцию частоты на всех частотах с│ │

│ │использованием резонансных контуров с│ │

│ │добротностью, превышающей 10000 │ │

│ │ │ │

│3.1.1.5. │Нижеперечисленные накопители энергии: │ │

│ │ │ │

│3.1.1.5.1. │Батареи и батареи на фотоэлектрических│8506; │

│ │элементах, такие, как: │8507; │

│ │ │8541 40 900 0 │

│ │а) первичные элементы и батареи с│ │

│ │плотностью энергии свыше 480 Вт.ч/кг и│ │

│ │пригодные по техническим условиям для│ │

│ │работы в диапазоне температур от 243 K│ │

│ │(-30 град. C) и ниже до 343 K│ │

│ │(70 град. C) и выше │ │

│ │ │ │

│ │ Техническое примечание. Плотность│ │

│ │энергии определяется путем умножения│ │

│ │средней мощности в ваттах (произведение│ │

│ │среднего напряжения в вольтах на│ │

│ │средний ток в амперах) на длительность│ │

│ │цикла разряда в часах, при котором│ │

│ │напряжение на разомкнутых клеммах│ │

│ │падает до 75% от номинала, и деления│ │

│ │полученного произведения на общую массу│ │

│ │элемента (или батареи) в кг; │ │

│ │б) подзаряжаемые элементы и батареи с│ │

│ │плотностью энергии свыше 150 Вт.ч/кг│ │

│ │после 75 циклов заряда-разряда при│ │

│ │токе разряда, равном С/5 ч (С -│ │

│ │номинальная емкость в ампер-часах),│ │

│ │при работе в диапазоне температур от│ │

│ │253 K (-20 град. C) и ниже до 333 K│ │

│ │(60 град. C) и выше; │ │

│ │в) батареи, по техническим условиям│ │

│ │годные для применения в космосе, и│ │

│ │радиационно стойкие батареи на│ │

│ │фотоэлектрических элементах с удельной│ │

│ │мощностью свыше 160 Вт/кв. м при│ │

│ │рабочей температуре 301 K (28 град. C)│ │

│ │и вольфрамовом источнике, нагретом до│ │

│ │2800 K (2527 град. C) и создающем│ │

│ │энергетическую освещенность 1 кВт/кв. м│ │

│ │ │ │

│ │ Примечание. По пункту 3.1.1.5.1 не│ │

│ │контролируются батареи объемом│ │

│ │27 куб. см и меньше (например,│ │

│ │стандартные угольные элементы или│ │

│ │батареи типа R14); │ │

│ │ │ │

│3.1.1.5.2. │Накопители большой энергии, такие, как:│8506; │

│ │ │8507; │

│ │ │8532 │

│ │а) накопители с частотой повторения│ │

│ │менее 10 Гц (одноразовые накопители),│ │

│ │имеющие все следующие характеристики: │ │

│ │1) номинальное напряжение 5 кВ или│ │

│ │более; │ │

│ │2) плотность энергии 250 Дж/кг или│ │

│ │более; и │ │

│ │3) общую энергию 25 кДж или более; │ │

│ │б) накопители с частотой повторения│ │

│ │10 Гц и более (многоразовые│ │

│ │накопители), имеющие все следующие│ │

│ │характеристики: │ │

│ │1) номинальное напряжение не менее│ │

│ │5 кВ; │ │

│ │2) плотность энергии не менее 50 Дж/кг;│ │

│ │3) общую энергию не менее 100 Дж; и │ │

│ │4) количество циклов заряда-разряда│ │

│ │не менее 10000; │ │

│ │ │ │

│3.1.1.5.3. │Сверхпроводящие электромагниты и│8505 19 900 0 │

│ │соленоиды, специально спроектированные│ │

│ │на полный заряд или разряд менее чем за│ │

│ │одну секунду, имеющие все│ │

│ │нижеперечисленные характеристики: │ │

│ │а) энергию, выделяемую при разряде,│ │

│ │превышающую 10 кДж за первую секунду; │ │

│ │б) внутренний диаметр токопроводящих│ │

│ │обмоток более 250 мм; и │ │

│ │в) номинальную магнитную индукцию свыше│ │

│ │8 Т или суммарную плотность тока в│ │

│ │обмотке больше 300 А/кв. мм │ │

│ │ │ │

│ │ Примечание. По пункту 3.1.1.5.3 не│ │

│ │контролируются сверхпроводящие│ │

│ │электромагниты или соленоиды,│ │

│ │специально спроектированные для│ │

│ │медицинской аппаратуры│ │

│ │магниторезонансной томографии │ │

│ │ │ │

│3.1.1.6. │Вращающиеся преобразователи абсолютного│9031 80 340 0 │

│ │углового положения вала в код, имеющие│ │

│ │любую из следующих характеристик: │ │

│ │а) разрешение лучше 1/265000 от полного│ │

│ │диапазона (18 бит); или │ │

│ │б) точность лучше +/- 2,5 угл. с │ │

│ │ │ │

│3.1.2. │Нижеперечисленная электронная│ │

│ │аппаратура общего назначения: │ │

│ │ │ │

│3.1.2.1. │Записывающая аппаратура и специально│ │

│ │разработанная измерительная магнитная│ │

│ │лента для нее, такие, как: │ │

│ │ │ │

│3.1.2.1.1. │Накопители на магнитной ленте для│8520 39 900 0;│

│ │аналоговой аппаратуры, включая│8520 90 900 0;│

│ │аппаратуру с возможностью записи│8521 10 300 0;│

│ │цифровых сигналов (например,│8521 10 800 0 │

│ │использующие модуль цифровой записи│ │

│ │высокой плотности), имеющие любую из│ │

│ │следующих характеристик: │ │

│ │а) полосу частот, превышающую 4 МГц на│ │

│ │электронный канал или дорожку; │ │

│ │б) полосу частот, превышающую 2 МГц на│ │

│ │электронный канал или дорожку, при│ │

│ │числе дорожек более 42; или │ │

│ │в) ошибку рассогласования (основную)│ │

│ │временной шкалы, измеренную по│ │

│ │методикам соответствующих руководящих│ │

│ │материалов Межведомственного совета по│ │

│ │радиопромышленности (IRIG) или│ │

│ │Ассоциации электронной промышленности│ │

│ │(EIA), менее +/- 0,1 мкс │ │

│ │ │ │

│ │ Примечание. Аналоговые│ │

│ │видеомагнитофоны, специально│ │

│ │разработанные для гражданского│ │

│ │применения, не рассматриваются как│ │

│ │записывающая аппаратура; │ │

│ │ │ │

│3.1.2.1.2. │Цифровые видеомагнитофоны, имеющие│8521 10; │

│ │максимальную пропускную способность│8521 90 000 0 │

│ │цифрового интерфейса свыше 360 Мбит/с; │ │

│ │ │ │

│ │ Примечание. По пункту 3.1.2.1.2 не│ │

│ │контролируются цифровые│ │

│ │видеомагнитофоны, специально│ │

│ │спроектированные для телевизионной│ │

│ │записи, использующие формат сигнала,│ │

│ │который может включать сжатие формата│ │

│ │сигнала, стандартизированный или│ │

│ │рекомендуемый для применения в│ │

│ │гражданском телевидении Международным│ │

│ │союзом электросвязи, Международной│ │

│ │электротехнической комиссией,│ │

│ │Организацией инженеров по развитию кино│ │

│ │и телевидения, Европейским союзом│ │

│ │радиовещания или Институтом инженеров│ │

│ │по электротехнике и радиоэлектронике; │ │

│ │ │ │

│3.1.2.1.3. │Накопители на магнитной ленте для│8521 10 │

│ │цифровой аппаратуры, использующие│ │

│ │принципы спирального сканирования или│ │

│ │принципы фиксированной головки и│ │

│ │имеющие любую из следующих│ │

│ │характеристик: │ │

│ │а) максимальную пропускную способность│ │

│ │цифрового интерфейса более 175 Мбит/с;│ │

│ │или │ │

│ │б) годные для применения в космосе │ │

│ │ │ │

│ │ Примечание. По пункту 3.1.2.1.3 не│ │

│ │контролируются аналоговые накопители на│ │

│ │магнитной ленте, оснащенные│ │

│ │электронными блоками для преобразования│ │

│ │в цифровую запись высокой плотности и│ │

│ │предназначенные для записи только│ │

│ │цифровых данных; │ │

│ │ │ │

│3.1.2.1.4. │Аппаратура с максимальной пропускной│8521 90 000 0 │

│ │способностью цифрового интерфейса свыше│ │

│ │175 Мбит/с, спроектированная в целях│ │

│ │переделки цифровых видеомагнитофонов│ │

│ │для использования их как устройств│ │

│ │записи данных цифровой аппаратуры; │ │

│ │ │ │

│3.1.2.1.5. │Приборы для преобразования сигналов в│8543 89 950 0 │

│ │цифровую форму и записи переходных│ │

│ │процессов, имеющие все следующие│ │

│ │характеристики: │ │

│ │а) скорость преобразования в цифровую│ │

│ │форму не менее 200 млн. проб в секунду│ │

│ │и разрешение 10 или более проб в│ │

│ │секунду; и │ │

│ │б) пропускную способность не менее│ │

│ │2 Гбит/с │ │

│ │ │ │

│ │ Техническое примечание. Для таких│ │

│ │приборов с архитектурой на параллельной│ │

│ │шине пропускная способность есть│ │

│ │произведение наибольшего объема слов на│ │

│ │количество бит в слове. Пропускная│ │

│ │способность - это наивысшая скорость│ │

│ │передачи данных аппаратуры, с которой│ │

│ │информация поступает в запоминающее│ │

│ │устройство без потерь при сохранении│ │

│ │скорости выборки и аналого-цифрового│ │

│ │преобразования │ │

│ │ │ │

│3.1.2.2. │Электронные сборки синтезаторов│8543 20 000 0 │

│ │частоты, имеющие время переключения с│ │

│ │одной заданной частоты на другую менее│ │

│ │1 мс; │ │

│ │ │ │

│3.1.2.3. │Анализаторы сигналов: │9030 83 900 0;│

│ │а) способные анализировать частоты,│9030 89 920 0 │

│ │превышающие 31 ГГц; │ │

│ │б) динамические анализаторы сигналов с│ │

│ │полосой пропускания в реальном времени,│ │

│ │превышающей 25,6 кГц │ │

│ │ │ │

│ │ Примечание. По подпункту "б" пункта│ │

│ │3.1.2.3 не контролируются динамические│ │

│ │анализаторы сигналов, использующие│ │

│ │только фильтры с полосой пропускания│ │

│ │фиксированных долей (известны также как│ │

│ │октавные или дробно-октавные фильтры) │ │

│ │ │ │

│3.1.2.4. │Генераторы сигналов синтезированных│8543 20 000 0 │

│ │частот, формирующие выходные частоты с│ │

│ │управлением по параметрам точности,│ │

│ │кратковременной и долговременной│ │

│ │стабильности на основе или с помощью│ │

│ │внутренней эталонной частоты, имеющие│ │

│ │любую из следующих характеристик: │ │

│ │а) максимальную синтезируемую частоту│ │

│ │более 31 ГГц; │ │

│ │б) время переключения с одной заданной│ │

│ │частоты на другую менее 1 мс; или │ │

│ │в) фазовый шум одной боковой полосы│ │

│ │лучше - (126 + 20 lgF - 20 lgf) в│ │

│ │единицах дБ x с/Гц, где F - смещение│ │

│ │рабочей частоты в Гц, а f - рабочая│ │

│ │частота в МГц │ │

│ │ │ │

│ │ Примечание. По пункту 3.1.2.4 не│ │

│ │контролируется аппаратура, в которой│ │

│ │выходная частота создается либо путем│ │

│ │сложения или вычитания частот с двух│ │

│ │или более кварцевых генераторов, либо│ │

│ │путем сложения или вычитания с│ │

│ │последующим умножением результирующей│ │

│ │частоты; │ │

│ │ │ │

│3.1.2.5. │Сетевые анализаторы с максимальной│9030 40 900 0 │

│ │рабочей частотой, превышающей 40 ГГц; │ │

│ │ │ │

│3.1.2.6. │Микроволновые приемники-тестеры,│8527 90 980 0 │

│ │имеющие все следующие характеристики: │ │

│ │а) максимальную рабочую частоту,│ │

│ │превышающую 40 ГГц; и │ │

│ │б) способные одновременно измерять│ │

│ │амплитуду и фазу; │ │

│ │ │ │

│3.1.2.7. │Атомные эталоны частоты, имеющие любую│8543 20 000 0 │

│ │из следующих характеристик: │ │

│ │а) долговременную стабильность│ │

│ │(старение) менее (лучше) 1E(-11) в│ │

│ │месяц; или │ │

│ │б) годные для применения в космосе │ │

│ │ │ │

│ │ Примечание. По подпункту "а" пункта│ │

│ │3.1.2.7 не контролируются рубидиевые│ │

│ │стандарты, не предназначенные для│ │

│ │космического применения │ │

│ │ │ │

│3.2. │Испытательное, контрольное и│ │

│ │производственное оборудование │ │

│ │ │ │

│3.2.1. │Нижеперечисленное оборудование для│ │

│ │производства полупроводниковых приборов│ │

│ │или материалов и специально│ │

│ │разработанные компоненты и оснастка для│ │

│ │них: │ │

│ │ │ │

│3.2.1.1. │Установки, управляемые встроенной│ │

│ │программой, предназначенные для│ │

│ │эпитаксиального выращивания, такие,│ │

│ │как: │ │

│ │ │ │

│3.2.1.1.1. │Установки, способные выдерживать│8479 89 650 0 │

│ │толщину слоя с отклонением не более│ │

│ │+/- 2,5% на протяжении 75 мм или более;│ │

│ │ │ │

│3.2.1.1.2. │Установки химического осаждения паров│8419 89 200 0 │

│ │металлорганических соединений,│ │

│ │специально разработанные для│ │

│ │выращивания кристаллов сложных│ │

│ │полупроводников с помощью химических│ │

│ │реакций между материалами, которые│ │

│ │контролируются по пункту 3.3.3 или│ │

│ │3.3.4; │ │

│ │ │ │

│3.2.1.1.3. │Молекулярно-лучевые установки│8479 89 700 0;│

│ │эпитаксиального выращивания,│8543 89 650 0 │

│ │использующие газовые или твердые│ │

│ │источники │ │

│ │ │ │

│3.2.1.2. │Установки, управляемые встроенной│8543 11 000 0 │

│ │программой, специально предназначенные│ │

│ │для ионной имплантации, имеющие любую│ │

│ │из следующих характеристик: │ │

│ │а) энергию излучения (ускоряющее│ │

│ │напряжение) свыше 1 МэВ; │ │

│ │б) специально спроектированные и│ │

│ │оптимизированные для работы с энергией│ │

│ │излучения (ускоряющим напряжением) ниже│ │

│ │2 кэВ; │ │

│ │в) обладающие способностью│ │

│ │непосредственной записи; или │ │

│ │г) пригодные для высокоэнергетической│ │

│ │имплантации кислорода в нагретую│ │

│ │подложку полупроводникового материала; │ │

│ │ │ │

│3.2.1.3. │Установки сухого травления анизотропной│8456 91 000 0;│

│ │плазмой, управляемые встроенной│8456 99 800 0 │

│ │программой: │ │

│ │а) с покассетной обработкой пластин и│ │

│ │загрузкой через загрузочные шлюзы,│ │

│ │имеющие любую из следующих│ │

│ │характеристик: │ │

│ │1) магнитную защиту; или │ │

│ │2) электронный циклотронный резонанс │ │

│ │б) специально спроектированные для│ │

│ │оборудования, контролируемого по пункту│ │

│ │3.2.1.5, и имеющие любую из следующих│ │

│ │характеристик: │ │

│ │1) магнитную защиту; или │ │

│ │2) электронный циклотронный резонанс; │ │

│ │ │ │

│3.2.1.4. │Установки химического парофазового│8419 89 200 0;│

│ │осаждения и плазменной стимуляции,│8419 89 300 0 │

│ │управляемые встроенной программой: │ │

│ │а) с покассетной обработкой пластин и│ │

│ │загрузкой через загрузочные шлюзы,│ │

│ │имеющие любую из следующих│ │

│ │характеристик: │ │

│ │1) магнитную защиту; или │ │

│ │2) электронный циклотронный резонанс │ │

│ │б) специально спроектированные для│ │

│ │оборудования, контролируемого по пункту│ │

│ │3.2.1.5, и имеющие любую из следующих│ │

│ │характеристик: │ │

│ │1) магнитную защиту; или │ │

│ │2) электронный циклотронный резонанс; │ │

│ │ │ │

│3.2.1.5. │Управляемые встроенной программой│8456 10; │

│ │автоматически загружаемые многокамерные│8456 91 000 0;│

│ │системы с центральной загрузкой│8456 99 800 0;│

│ │пластин, имеющие все следующие│8456 99 300 0;│

│ │составляющие: │8479 50 000 0 │

│ │а) интерфейсы для загрузки и выгрузки│ │

│ │пластин, к которым присоединяется более│ │

│ │двух единиц оборудования для обработки│ │

│ │полупроводников; и │ │

│ │б) предназначенные для интегрированной│ │

│ │системы последовательной│ │

│ │многопозиционной обработки пластин в│ │

│ │вакуумной среде │ │

│ │ │ │

│ │ Примечание. По пункту 3.2.1.5 не│ │

│ │контролируются автоматические│ │

│ │робототехнические системы загрузки│ │

│ │пластин, не предназначенные для работы│ │

│ │в вакууме │ │

│ │ │ │

│3.2.1.6. │Установки литографии, управляемые│ │

│ │встроенной программой, такие, как: │ │

│ │ │ │

│3.2.1.6.1. │Установки многократного совмещения и│9009 22 000 0 │

│ │экспонирования (прямого│ │

│ │последовательного шагового│ │

│ │экспонирования) или шагового│ │

│ │сканирования (сканеры) для обработки│ │

│ │пластин методом фотооптической или│ │

│ │рентгеновской литографии, имеющие любую│ │

│ │из следующих составляющих: │ │

│ │а) источник света с длиной волны короче│ │

│ │350 нм; или │ │

│ │б) способность воспроизводить рисунок с│ │

│ │минимальным размером разрешения от│ │

│ │0,5 мкм и менее │ │

│ │ │ │

│ │ Техническое примечание. Минимальный│ │

│ │размер разрешения (МРР) рассчитывается│ │

│ │по следующей формуле: │ │

│ │ │ │

│ │ (экспозиция источника освещения с│ │

│ │ длиной волны в мкм) x (К фактор) │ │

│ │МРР = ---------------------------------│ │

│ │ цифровая апертура │ │

│ │ │ │

│ │где К фактор = 0,7; │ │

│ │ │ │

│3.2.1.6.2. │Установки, специально спроектированные│8456 10; │

│ │для производства шаблонов или обработки│8456 99 │

│ │полупроводниковых приборов с│ │

│ │использованием отклоняемого│ │

│ │фокусируемого электронного луча, пучка│ │

│ │ионов или лазерного луча, имеющие любую│ │

│ │из следующих характеристик: │ │

│ │а) размер пятна менее 0,2 мкм; │ │

│ │б) способность производить рисунок с│ │

│ │минимальными разрешенными проектными│ │

│ │нормами менее 1 мкм; или │ │

│ │в) точность совмещения лучше│ │

│ │+/- 0,20 мкм (3 сигма) │ │

│ │ │ │

│3.2.1.7. │Шаблоны или промежуточные фотошаблоны,│ │

│ │разработанные для интегральных схем,│ │

│ │контролируемых по пункту 3.1.1; │ │

│ │ │ │

│3.2.1.8. │Многослойные шаблоны с фазосдвигающим│9010 90 │

│ │слоем │ │

│ │ │ │

│3.2.2. │Аппаратура испытаний, управляемая│ │

│ │встроенной программой, специально│ │

│ │спроектированная для испытания готовых│ │

│ │или находящихся в разной степени│ │

│ │изготовления полупроводниковых│ │

│ │приборов, и специально спроектированные│ │

│ │компоненты и приспособления для нее: │ │

│ │ │ │

│3.2.2.1. │Для измерения S-параметров│9031 80 390 0 │

│ │транзисторных приборов на частотах│ │

│ │свыше 31 ГГц; │ │

│ │ │ │

│3.2.2.2. │Для испытаний интегральных схем,│9031 80 390 0 │

│ │способная выполнять функциональное│ │

│ │тестирование (по таблицам истинности) с│ │

│ │частотой тестирования строк более│ │

│ │333 МГц │ │

│ │ │ │

│ │ Примечание. По пункту 3.2.2.2 не│ │

│ │контролируется аппаратура испытаний,│ │

│ │специально спроектированная для│ │

│ │испытаний: │ │

│ │а) электронных сборок или класса│ │

│ │электронных сборок для бытовой или│ │

│ │игровой электронной аппаратуры; │ │

│ │б) неконтролируемых электронных│ │

│ │компонентов, электронных сборок или│ │

│ │интегральных схем; │ │

│ │ │ │

│ │ Техническое примечание. Для целей│ │

│ │этого пункта оценочной характеристикой│ │

│ │является максимальная частота цифрового│ │

│ │режима работы тестера, поэтому она│ │

│ │является эквивалентом наивысшему│ │

│ │значению оценки, которое может│ │

│ │обеспечить тестер во внемультиплексном│ │

│ │режиме. Она также относится к скорости│ │

│ │испытания, максимальной цифровой│ │

│ │частоте или к максимальной цифровой│ │

│ │скорости. │ │

│ │ │ │

│3.2.2.3. │Для испытания микроволновых│9031 20 000 0 │

│ │интегральных схем, контролируемых по │9031 80 390 0 │

│ │пункту 3.1.1.2.2; │ │

│ │ │ │

│3.3. │Материалы │ │

│ │ │ │

│3.3.1. │Гетероэпитаксиальные материалы,│ │

│ │состоящие из подложки с несколькими│ │

│ │последовательно наращенными│ │

│ │эпитаксиальными слоями, имеющими любую│ │

│ │из следующих составляющих: │ │

│ │ │ │

│3.3.1.1. │Кремний; │3818 00 100 0;│

│ │ │3818 00 900 0 │

│ │ │ │

│3.3.1.2. │Германий; или │3818 00 900 0 │

│ │ │ │

│3.3.1.3. │Соединения III/V на основе галлия или│3818 00 900 0 │

│ │индия │ │

│ │ │ │

│ │ Техническое примечание. Соединения│ │

│ │III/V - это поликристаллические или│ │

│ │двухэлементные или сложные│ │

│ │монокристаллические продукты, состоящие│ │

│ │из элементов групп IIIA и VA│ │

│ │периодической системы Менделеева (по│ │

│ │отечественной классификации это группы│ │

│ │A3 и B5) (арсенид галлия, алюмоарсенид│ │

│ │галлия, фосфид индия и т.п.) │ │

│ │ │ │

│3.3.2. │Материалы резистов и подложки, покрытые│ │

│ │контролируемыми резистами, такие, как: │ │

│ │ │ │

│3.3.2.1. │Позитивные резисты, предназначенные для│3824 90 990 0 │

│ │полупроводниковой литографии,│ │

│ │специально приспособленные│ │

│ │(оптимизированные) для использования на│ │

│ │спектральную чувствительность менее│ │

│ │350 нм; │ │

│ │ │ │

│3.3.2.2. │Все резисты, предназначенные для│3824 90 990 0 │

│ │использования при экспонировании│ │

│ │электронными или ионными пучками, с│ │

│ │чувствительностью 0,01 мкКл/кв. мм или│ │

│ │лучше; │ │

│ │ │ │

│3.3.2.3. │Все резисты, предназначенные для│3824 90 990 0 │

│ │использования при экспонировании│ │

│ │рентгеновскими лучами, с│ │

│ │чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм или│ │

│ │лучше; │ │

│ │ │ │

│3.3.2.4. │Все резисты, оптимизированные под│3824 90 990 0 │

│ │технологии формирования рисунка,│ │

│ │включая силицированные резисты │ │

│ │ │ │

│ │ Техническое примечание. Методы│ │

│ │силицирования - это процессы,│ │

│ │включающие оксидирование поверхности│ │

│ │резиста, для повышения качества мокрого│ │

│ │и сухого проявления │ │

│ │ │ │

│3.3.3. │Органо-неорганические компаунды,│ │

│ │такие, как: │ │

│ │ │ │

│3.3.3.1. │Органо-металлические соединения на│2931 00 950 0 │

│ │основе алюминия, галлия или индия с│ │

│ │чистотой металлической основы свыше│ │

│ │99,999%; │ │

│ │ │ │

│3.3.3.2. │Органо-мышьяковистые, органо-│2931 00 950 0 │

│ │сурьмянистые и органо-фосфорные│ │

│ │соединения с чистотой органической│ │

│ │элементной основы свыше 99,999% │ │

│ │ │ │

│ │ Примечание. По пункту 3.3.3│ │

│ │контролируются только соединения, чей│ │

│ │металлический, частично металлический│ │

│ │или неметаллический элемент│ │

│ │непосредственно связан с углеродом в│ │

│ │органической части молекулы │ │

│ │ │ │

│3.3.4. │Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы,│2848 00 000 0;│

│ │имеющие чистоту свыше 99,999% даже│2850 00 200 0 │

│ │после растворения в инертных газах или│ │

│ │водороде │ │

│ │ │ │

│ │ Примечание. По пункту 3.3.4 не│ │

│ │контролируются гидриды, содержащие 20%│ │

│ │и более молей инертных газов или│ │

│ │водорода │ │

│ │ │ │

│3.4. │Программное обеспечение │ │

│ │ │ │

│3.4.1. │Программное обеспечение, специально│ │

│ │созданное для разработки или│ │

│ │производства оборудования,│ │

│ │контролируемого по пунктам 3.1.1.2 -│ │

│ │3.1.2.7 или по пункту 3.2 │ │

│ │ │ │