|
Обобщенные трудовые функции
|
Трудовые функции
|
|
код
|
наименование
|
уровень квалификации
|
наименование
|
код
|
уровень (подуровень) квалификации
|
|
A
|
Моделирование, разработка и внедрение новых технологических процессов производства наногетероструктурных МИС СВЧ
|
7
|
Анализ мирового опыта применения материалов наногетероструктурной электроники СВЧ
|
A/01.7
|
7
|
|
Разработка планов создания и модернизации технологических линий для освоения новых направлений в наногетероструктурной электронике СВЧ
|
A/02.7
|
|
Подготовка технического задания (ТЗ) на проведение опытно-технологических работ (ОТР) по разработке новых технологических процессов производства МИС СВЧ
|
A/03.7
|
|
Моделирование наногетероструктур, активных и пассивных элементов, технологических операций изготовления гетероструктурных МИС СВЧ с использованием технологических систем моделирования и проектирования элементов и технологий полупроводниковых ИС, в том числе МИС СВЧ, изготавливаемых на основе гетероструктур (TCAD)
|
A/04.7
|
|
Подготовка технического задания (ТЗ) на разработку маршрутных и операционных карт производства МИС СВЧ на основе разработанной конструкторской документации (КД), документации на отработанные технологические процессы (ТП) и данных моделирования
|
A/05.7
|
|
B
|
Подготовка комплекта технологической документации (ТД) производства наногетероструктурных МИС СВЧ, организация и сопровождение технологического процесса производства
|
7
|
Разработка комплекта технологической документации для производства МИС СВЧ на основе ТЗ и нормативной документации
|
B/01.7
|
7
|
|
Планирование и организация сопровождения технологического процесса производства МИС СВЧ
|
B/02.7
|
|
Разработка методики входного, межоперационного и выходного контроля при производстве наногетероструктурных МИС СВЧ
|
B/03.7
|
|
Реализация технологии на основе электронной литографии
|
B/04.7
|
|
Реализация технологии на основе проекционной литографии
|
B/5.7
|
|
Организация работы по повышению выхода годных МИС, разработка ТЗ для корректировки технологических операций
|
B/6.7
|
|
C
|
Осуществление проектирования и изготовления методами эпитаксии наногетероструктур для ОТР и производства МИС СВЧ
|
7
|
Проведение расчета параметров технологического процесса эпитаксиального выращивания наногетероструктур на подложках, применяемых в СВЧ-электронике
|
C/1.7
|
7
|
|
Подготовка и квалификация машин к росту продукции
|
C/2.7
|
|
Определение методик тестирования качества эпитаксиальных слоев
|
C/3.7
|
|
Проведение статистического анализа поведения установки во время исследования, статистическое сопровождение по группам продукции и контроль качества по спецификации заказчика
|
C/4.7
|
|
D
|
Проведение ОТР по разработке базовых технологических процессов МИС СВЧ
|
7
|
Анализ КД и ТЗ на проведение ОТР, оценка достижимости заданных параметров МИС СВЧ по выбираемой или заданной технологии
|
D/1.7
|
7
|
|
Определение базовых технологических процессов, применяемых материалов и оборудования для изготовления опытных образцов МИС СВЧ
|
D/2.7
|
|
Согласование принимаемых решений с представителями заказчика, конструкторскими подразделениями, метрологической службой и другими смежными структурами организации
|
D/3.7
|
|
Управление командой по реализации ОРТ
|
D/4.7
|