Направление 1 "Сверхвысокочастотная электроника"

1. Разработка технологии 312 105 147 60 - - создание базовой технологии

производства мощных --- --- --- -- производства мощных

сверхвысокочастотных 208 <*> 70 98 40 сверхвысокочастотных транзисторов

транзисторов на основе на основе гетероструктур

гетероструктур материалов группы материалов группы A3B5 для

A3B5 бортовой и наземной аппаратуры,

разработка комплектов

документации в стандартах единой

системы конструкторской,

технологической и

производственной документации,

ввод в эксплуатацию

производственной линии

2. Разработка базовой технологии 265 - - 60 120 85 создание базовой технологии

производства монолитных --- -- --- -- производства монолитных

сверхвысокочастотных 175 40 79 56 сверхвысокочастотных микросхем и

микросхем и объемных приемо- объемных приемо-передающих

передающих сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных субмодулей

субмодулей X-диапазона X-диапазона на основе

гетероструктур материалов группы

A3B5 для бортовой и наземной

аппаратуры радиолокации, средств

связи, разработка комплектов

документации в стандартах единой

системы конструкторской,

производственной документации,

ввод в эксплуатацию

производственной линии

3. Разработка базовой технологии 467 153 214 100 - - создание технологии производства

производства мощных --- --- --- --- мощных транзисторов

сверхвысокочастотных 312 102 143 67 сверхвысокочастотного диапазона

полупроводниковых приборов на на основе нитридных

основе нитридных гетероэпитаксиальных структур для

гетероэпитаксиальных структур техники связи, радиолокации

4. Разработка базовой технологии и 770 - - 136 337 297 создание технологии производства

библиотеки элементов для --- --- --- --- на основе нитридных

проектирования и производства 512 90 225 197 гетероэпитаксиальных структур

монолитных интегральных схем мощных сверхвысокочастотных

сверхвысокочастотного диапазона монолитных интегральных схем с

на основе нитридных рабочими частотами до 20 ГГц для

гетероэпитаксиальных структур связной техники, радиолокации,

разработка комплектов

документации в стандартах единой

системы конструкторской,

технологической и

производственной документации,

ввод в эксплуатацию

производственной линии

5. Разработка базовой технологии 357 120 166 71 - - создание базовой технологии

производства --- --- --- -- производства компонентов для

сверхвысокочастотных компонентов 231 80 111 40 сверхвысокочастотных интегральных

и сложнофункциональных блоков схем диапазона 2 - 12 ГГц с

для сверхвысокочастотных высокой степенью интеграции для

интегральных схем высокой аппаратуры радиолокации и связи

степени интеграции на основе бортового и наземного применения,

гетероструктур "кремний - а также бытовой и автомобильной

германий" электроники, разработка

комплектов документации в

стандартах единой системы

конструкторской, технологической

и производственной документации,

ввод в эксплуатацию

производственной линии

6. Разработка базовой технологии 532 - - 100 246 186 создание базовой технологии

производства --- --- --- --- производства сверхвысокочастотных

сверхвысокочастотных 352 64 164 124 интегральных схем диапазона 2 - 12

интегральных схем высокой ГГц с высокой степенью интеграции

степени интеграции на основе для аппаратуры радиолокации и

гетероструктур "кремний - связи бортового и наземного

германий" применения, а также бытовой и

автомобильной электроники,

разработка комплектов

документации в стандартах единой

системы конструкторской,

технологической и

производственной документации,

ввод в эксплуатацию

производственной линии

7. Разработка аттестованных 171 60 76 35 - - разработка аттестованных

библиотек сложнофункциональных --- --- -- -- библиотек сложнофункциональных

блоков для проектирования 121 40 51 30 блоков для проектирования

сверхвысокочастотных и широкого спектра

радиочастотных интегральных схем сверхвысокочастотных интегральных

на основе гетеростуктур "кремний схем на SiGe с рабочими частотами

- германий" до 150 ГГц, разработка комплектов

документации в стандартах единой

системы конструкторской,

технологической и

производственной документации,

ввод в эксплуатацию

производственной линии

8. Разработка базовых технологий 207 - - 40 100 67 создание базовых технологий

проектирования кремний- --- -- --- -- проектирования на основе

германиевых сверхвысокочастотных 142 30 67 45 библиотеки сложнофункциональных

и радиочастотных интегральных блоков широкого спектра

схем на основе аттестованной сверхвысокочастотных интегральных

библиотеки сложнофункциональных схем на SiGe с рабочими частотами

блоков до 150 ГГц, разработка комплектов

документации в стандартах единой

системы конструкторской,

технологической и

производственной документации,

ввод в эксплуатацию

производственной линии

9. Разработка базовых технологий 163,5 43,5 60 60 - - создание базовых технологий

производства элементной базы для ----- ---- -- -- производства и конструкций

ряда силовых герметичных модулей 110 30 40 40 элементной базы для высокоплотных

высокоплотных источников источников вторичного

вторичного электропитания электропитания

вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и

сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры, разработка

узлов аппаратуры комплектов документации в

стандартах единой системы

конструкторской, технологической

и производственной документации,

ввод в эксплуатацию

производственной линии

10. Разработка базовых технологий 153 - - - 89 64 создание базовых конструкций и

производства ряда силовых --- -- -- технологии производства

герметичных модулей 102 60 42 высокоэффективных,

высокоплотных источников высокоплотных источников

вторичного электропитания вторичного электропитания

вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и

сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры на основе

узлов аппаратуры гибридно-пленочной технологии с

применением бескорпусной

элементной базы, разработка

комплектов документации в

стандартах единой системы

конструкторской,

технологической и

производственной документации,

ввод в эксплуатацию

производственной линии

11. Разработка базовых конструкций и 162,5 38,5 74 50 - - создание технологии массового

технологии производства корпусов ----- ---- -- -- производства ряда корпусов мощных

мощных сверхвысокочастотных 110 25 52 33 сверхвысокочастотных приборов для

транзисторов X, C, S, L и P - "бессвинцовой" сборки, разработка

диапазонов из малотоксичных комплектов документации в

материалов с высокой стандартах единой системы

теплопроводностью конструкторской, технологической

и производственной документации,

ввод в эксплуатацию

производственной линии

12. Разработка базовых конструкций 150 - - 45 60 45 создание базовых конструктивных

теплоотводящих элементов систем --- -- -- -- рядов элементов систем

охлаждения сверхвысокочастотных 97 30 40 27 охлаждения аппаратуры X и C -

приборов X и C - диапазонов на диапазонов наземных,

основе новых материалов корабельных и воздушно-

космических комплексов

13. Разработка базовой технологии 93 - - - 60 33 создание технологии массового

производства теплоотводящих -- -- -- производства конструктивного

элементов систем охлаждения 62 32 30 ряда элементов систем

сверхвысокочастотных приборов X охлаждения аппаратуры X и C -

и C - диапазонов на основе диапазонов наземных,

новых материалов корабельных и воздушно-

космических комплексов,

разработка комплектов

документации в стандартах

единой системы конструкторской,

технологической и

производственной документации,

ввод в эксплуатацию

производственной линии

14. Разработка базовых технологий 141,5 45,5 53 43 - - создание технологии массового

производства суперлинейных ----- ---- -- -- производства конструктивного

кремниевых сверхвысокочастотных 92 30 35 27 ряда сверхвысокочастотных

транзисторов S и L диапазонов транзисторов S и L диапазонов

для связной аппаратуры, локации

и контрольной аппаратуры,

разработка комплектов

документации в стандартах

единой системы конструкторской,

технологической и

производственной документации,

ввод в эксплуатацию

производственной линии

15. Разработка конструктивно- 170 - - - 95 75 создание конструктивно-

параметрического ряда --- -- -- параметрического ряда

суперлинейных кремниевых 116 70 46 сверхвысокочастотных

сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов

транзисторов S и L диапазонов для связной аппаратуры, локации

и контрольной аппаратуры,

разработка комплектов

документации в стандартах

единой системы конструкторской,

технологической и

производственной документации,

ввод в эксплуатацию

производственной линии

16. Разработка технологии измерений 147 60 45 42 - - разработка метрологической

и базовых конструкций установок --- -- -- -- аппаратуры нового поколения для

автоматизированного измерения 97 40 27 30 исследования и контроля

параметров нелинейных моделей параметров полупроводниковых

сверхвысокочастотных структур, активных элементов и

полупроводниковых структур, сверхвысокочастотных монолитных

мощных транзисторов и интегральных схем в

сверхвысокочастотных монолитных производстве и при их

интегральных схем X, C, S, L и использовании

P - диапазонов для их массового

производства

17. Исследование и разработка 161 57 54 50 - - создание технологии

базовых технологий для создания --- -- -- -- унифицированных

нового поколения мощных 107 38 36 33 сверхширокополосных приборов

вакуумно-твердотельных среднего и большого уровня

сверхвысокочастотных приборов и мощности сантиметрового

гибридных малогабаритных диапазона длин волн и

сверхвысокочастотных модулей с сверхвысокочастотных

улучшенными массогабаритными магнитоэлектрических приборов

характеристиками, для перспективных

магнитоэлектрических приборов радиоэлектронных систем и

сверхвысокочастотного аппаратуры связи

диапазона, в том числе: космического базирования,

циркуляторов и фазовращателей, разработка комплектов

вентилей, высокодобротных документации в стандартах

резонаторов, перестраиваемых единой системы конструкторской,

фильтров, микроволновых технологической и

приборов со спиновым производственной документации,

управлением для перспективных ввод в эксплуатацию

радиоэлектронных систем производственной линии

двойного применения

18. Разработка базовых конструкций 141 - - - 89 52 разработка конструктивных рядов

и технологии производства --- -- -- и базовых технологий

нового поколения мощных 95 60 35 производства

вакуумно-твердотельных сверхширокополосных приборов

сверхвысокочастотных приборов и среднего и большого уровня

гибридных малогабаритных мощности сантиметрового

сверхвысокочастотных модулей с диапазона длин волн и

улучшенными массогабаритными сверхвысокочастотных

характеристиками, магнитоэлектрических приборов

магнитоэлектрических приборов для перспективных

сверхвысокочастотного радиоэлектронных систем и

диапазона, в том числе: аппаратуры связи космического

циркуляторов и фазовращателей, базирования, разработка

вентилей, высокодобротных комплектов документации в

резонаторов, перестраиваемых стандартах единой системы

фильтров, микроволновых конструкторской,

приборов со спиновым технологической и

управлением для перспективных производственной

радиоэлектронных систем документации, ввод в

двойного применения эксплуатацию производственной

линии

19. Исследование и разработка 130 45 45 40 - - создание технологических

процессов и базовых технологий --- -- -- -- процессов производства

нанопленочных малогабаритных 87 30 30 27 нанопленочных малогабаритных

сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных

резисторно-индуктивно-емкостных резисторно-индуктивно-емкостных

матриц многофункционального матриц многофункционального

назначения для печатного назначения для печатного

монтажа и монтажа, создание базовой

сверхбыстродействующих (до 150 технологии получения

ГГц) приборов на сверхбыстродействующих (до 150

наногетероструктурах с ГГц) приборов на

квантовыми дефектами наногетероструктурах с

квантовыми дефектами,

разработка комплектов

документации в стандартах

единой системы конструкторской,

технологической и

производственной документации,

ввод в эксплуатацию

производственной линии

20. Разработка базовых конструкций 85 - - - 45 40 создание конструктивных рядов и

и технологии производства -- -- -- базовых технологий производства

нанопленочных малогабаритных 57 30 27 нанопленочных малогабаритных

сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных

резисторно-индуктивно-емкостных резисторно-индуктивно-емкостных

матриц многофункционального матриц многофункционального

назначения для печатного назначения для печатного

монтажа монтажа, разработка комплектов

документации в стандартах

единой системы конструкторской,

технологической и

производственной документации,

ввод в эксплуатацию

производственной линии

21. Разработка базовой технологии 246 90 86 70 - - создание базовой технологии

сверхвысокочастотных p-i-n --- -- -- -- производства элементов и

диодов, матриц, узлов 164 60 57 47 специальных элементов и блоков

управления и портативных портативной аппаратуры

фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин

миллиметрового диапазона длин волн для нового поколения

волн на основе средств связи, радиолокационных

магнитоэлектронных станций, радионавигации,

твердотельных и измерительной техники,

высокоскоростных цифровых автомобильных радаров, охранных

приборов и устройств с и сигнальных устройств,

функциями адаптации и цифрового разработка комплектов

диаграммообразования документации в стандартах

единой системы конструкторской,

технологической и

производственной документации,

ввод в эксплуатацию

производственной линии

Всего по направлению 1 5024,5 817,5 1020 1002 1241 944

------ ----- ---- ---- ---- ---

3349 545 680 668 827 629