Направление 5 "Электронные материалы и структуры"

55. Разработка технологии 132 54 51 27 - - внедрение новых диэлектрических

производства новых --- -- -- -- материалов на основе

диэлектрических материалов на 85 36 32 17 ромбоэдрической модификации

основе ромбоэдрической нитрида бора и подложек из

модификации нитрида бора и поликристаллического алмаза с

подложек из поликристаллического повышенной теплопроводностью и

алмаза электропроводностью для создания

нового поколения

высокоэффективных и надежных

сверхвысокочастотных приборов

56. Разработка технологии 131 - - - 77 54 создание технологии производства

производства --- -- -- гетероэпитаксиальных структур и

гетероэпитаксиальных структур и 87 51 36 структур гетеробиполярных

структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных

транзисторов на основе нитридных соединений A3B5 для обеспечения

соединений A3B5 для мощных разработок и изготовления

полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных

сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и мощных

интегральных схем транзисторов

57. Разработка базовой технологии 129 52 50 27 - - создание базовой технологии

производства метаморфных --- -- -- -- производства гетероструктур и

структур на основе GaAs и 84 34 32 18 псевдоморфных структур на

псевдоморфных структур на подложках InP для перспективных

подложках InP для приборов полупроводниковых приборов и

сверхвысокочастотной электроники сверхвысокочастотных монолитных

диапазона 60 - 90 ГГц интегральных схем диапазона 60 -

90 ГГц

58. Разработка технологии 133 - - - 79 54 создание спинэлектронных

производства спинэлектронных --- -- -- магнитных материалов и

магнитных материалов, 88 52 36 микроволновых структур со

радиопоглощающих и спиновым управлением для создания

мелкодисперсных ферритовых перспективных микроволновых

материалов для сверхвысокочастотных приборов

сверхвысокочастотных приборов повышенного быстродействия и

низкого энергопотребления

59. Разработка технологии 128 51 50 27 - - создание технологии массового

производства высокочистых --- -- -- -- производства высокочистых

химических материалов (аммиака, 85 36 31 18 химических материалов (аммиака,

арсина, фосфина, тетрахлорида арсина, фосфина, тетрахлорида

кремния) в обеспечение кремния) для выпуска

производства полупроводниковых полупроводниковых подложек

подложек нитрида галлия, нитрида галлия, арсенида галлия,

арсенида галлия, фосфида индия, фосфида индия, кремния и

кремния и гетероэпитаксиальных гетероэпитаксиальных структур на

структур на их основе их основе

60. Разработка технологии 134 - - - 79 55 создание технологии производства

производства поликристаллических --- -- -- поликристаллических алмазов и его

алмазов и их пленок для 88 52 36 пленок для мощных

теплопроводных конструкций сверхвысокочастотных приборов

мощных выходных транзисторов и

сверхвысокочастотных приборов

61. Исследование путей и разработка 98 41 36 21 - - создание технологии изготовления

технологии изготовления новых -- -- -- -- новых микроволокон на основе

микроволокон на основе 65 27 24 14 двухмерных диэлектрических и

двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и

металлодиэлектрических микро- и наноструктур для новых классов

наноструктур, а также микроструктурных приборов,

полупроводниковых нитей с магниторезисторов, осцилляторов,

наноразмерами при вытяжке устройств оптоэлектроники

стеклянного капилляра,

заполненного жидкой фазой

полупроводника

62. Разработка технологии 106 - - 25 44 37 создание базовой пленочной

выращивания слоев пьезокерамики --- -- -- -- технологии пьезокерамических

на кремниевых подложках для 69 17 28 24 элементов, совместимой с

формирования комплексированных комплементарной металло-оксидной

устройств микросистемной техники полупроводниковой технологией для

разработки нового класса активных

пьезокерамических устройств,

интегрированных с микросистемами

63. Разработка методологии и базовых 98 41 36 21 - - создание технологии травления и

технологий создания многослойных -- -- -- -- изготовления кремниевых

кремниевых структур с 64 26 24 14 трехмерных базовых элементов

использованием "жертвенных" и микроэлектромеханических систем с

"стопорных" диффузионных и использованием "жертвенных" и

диэлектрических слоев для "стопорных" слоев для серийного

производства силовых приборов и производства элементов

элементов микроэлектромеханических систем

микроэлектромеханических систем кремниевых структур с

использованием силикатных стекол,

моно-, поликристаллического и

пористого кремния и диоксида

кремния

64. Разработка базовых технологий 105 - - - 61 44 создание технологии получения

получения алмазных --- -- -- алмазных полупроводниковых

полупроводниковых наноструктур и 70 41 29 наноструктур и наноразмерных

наноразмерных органических органических покрытий, алмазных

покрытий с широким диапазоном полупроводящих пленок для

функциональных свойств конкурентоспособных

высокотемпературных и радиационно

стойких устройств и приборов

двойного назначения

65. Исследование и разработка 191 50 57 84 - - создание технологии изготовления

технологии роста эпитаксиальных --- -- -- -- гетероструктур и эпитаксиальных

слоев карбида кремния, структур 128 35 38 55 структур на основе нитридов для

на основе нитридов, а также создания радиационно стойких

формирования изолирующих и сверхвысокочастотных и силовых

коммутирующих слоев в приборах приборов нового поколения

экстремальной электроники

66. Разработка технологии 227 67 52 108 - - создание технологии производства

производства радиационно стойких --- -- -- --- структур "кремний на сапфире"

сверхбольших интегральных схем 130 40 35 55 диаметром до 150 мм с толщиной

на ультратонких приборного слоя до 0,1 мкм и

гетероэпитаксиальных структурах топологическими нормами до 0,18

кремния на сапфировой подложке мкм для производства электронной

для производства электронной компонентной базы специального и

компонентной базы специального и двойного назначения

двойного применения

67. Разработка технологии 191 45 54 92 - - создание технологии производства

производства высокоомного --- -- -- -- радиационно облученного кремния и

радиационно облученного кремния, 126 30 36 60 пластин кремния до 150 мм для

слитков и пластин кремния выпуска мощных транзисторов и

диаметром до 150 мм для сильноточных тиристоров нового

производства силовых поколения

полупроводниковых приборов

68. Разработка технологии 114 22 36 56 - - разработка и промышленное

производства кремниевых подложек --- -- -- -- освоение получения

и структур для силовых 83 20 24 39 высококачественных подложек и

полупроводниковых приборов с структур для использования в

глубокими высоколегированными производстве силовых

слоями p- и n-типов проводимости полупроводниковых приборов, с

и скрытыми слоями носителей с глубокими высоколегированными

повышенной рекомбинацией слоями и скрытыми слоями

носителей с повышенной

рекомбинацией

69. Разработка технологии 326 110 72 144 - - создание технологии производства

производства электронного --- --- -- --- пластин кремния диаметром до 200

кремния, кремниевых пластин 233 71 48 114 мм и эпитаксиальных структур

диаметром до 200 мм и кремниевых уровня 0,25 - 0,18 мкм

эпитаксиальных структур уровня

технологии 0,25 - 0,18 мкм

70. Разработка методологии, 232 - - - 109 123 разработка технологии

конструктивно-технических --- --- --- корпусирования интегральных схем

решений и перспективной базовой 161 78 83 и полупроводниковых приборов на

технологии корпусирования основе использования многослойных

интегральных схем и кремниевых структур со сквозными

полупроводниковых приборов на токопроводящими каналами,

основе использования обеспечивающей сокращение состава

многослойных кремниевых структур сборочных операций и формирование

со сквозными токопроводящими трехмерных структур

каналами

71. Разработка технологии 220 - - - 85 135 создание базовой технологии

производства гетероструктур SiGe --- -- --- производства гетероструктур SiGe

биполярной комплементарной 143 53 90 для выпуска быстродействующих

металл-окисел полупроводниковой сверхбольших интегральных схем с

технологии для разработки топологическими нормами 0,25 -

приборов с топологическими 0,18 мкм

нормами 0,25 - 0,18 мкм

72. Разработка технологии 78 32 28 18 - - создание технологии выращивания и

выращивания и обработки, в том -- -- -- -- обработки пьезоэлектрических

числе плазмохимической, новых 55 21 22 12 материалов акустоэлектроники и

пьезоэлектрических материалов акустооптики для обеспечения

для акустоэлектроники и производства широкой номенклатуры

акустооптики акустоэлектронных устройств

нового поколения

73. Разработка технологий 87 - - - 32 55 создание технологии массового

производства -- -- -- производства исходных материалов

соединений A3B5 и тройных 58 22 36 и структур для перспективных

структур для: приборов лазерной и

производства сверхмощных оптоэлектронной техники, в том

лазерных диодов; числе:

высокоэффективных светодиодов производства сверхмощных лазерных

белого, зеленого, синего и диодов;

ультрафиолетового диапазонов; высокоэффективных светодиодов

фотоприемников среднего белого, зеленого, синего и

инфракрасного диапазона ультрафиолетового диапазонов;

фотоприемников среднего

инфракрасного диапазона

74. Исследование и разработка 80 32 30 18 - - создание технологии производства

технологии получения -- -- -- -- принципиально новых материалов

гетероструктур с вертикальными 55 22 22 11 полупроводниковой электроники на

оптическими резонаторами на основе сложных композиций для

основе квантовых ям и квантовых перспективных приборов лазерной и

точек для производства оптоэлектронной техники

вертикально излучающих лазеров

для устройств передачи

информации и матриц для

оптоэлектронных переключателей

нового поколения

75. Разработка технологии 86 - - - 32 54 создание технологии производства

производства современных -- -- -- компонентов для

компонентов для 57 22 35 специализированных электронно-

специализированных лучевых;

фотоэлектронных приборов, в том электроннооптических и

числе: отклоняющих систем;

катодов и газопоглотителей; стеклооболочек и деталей из

электронно-оптических и электровакуумного стекла

отклоняющих систем; различных марок

стеклооболочек и деталей из

электровакуумного стекла

различных марок

76. Разработка технологии 80 33 30 17 - - создание технологии производства

производства особо тонких -- -- -- -- особо тонких гетерированных

гетерированных нанопримесями 54 22 20 12 нанопримесями полупроводниковых

полупроводниковых структур для структур для изготовления

высокоэффективных фотокатодов, высокоэффективных фотокатодов

электронно-оптических электронно-оптических

преобразователей и преобразователей и

фотоэлектронных умножителей, фотоэлектронных умножителей,

приемников инфракрасного приемников инфракрасного

диапазона, солнечных элементов и диапазона, солнечных элементов и

др., фотоэлектронных приборов с других приложений

высокими значениями коэффициента

полезного действия

77. Разработка базовой технологии 85 - - - 32 53 создание технологии

производства монокристаллов AlN -- -- -- монокристаллов AlN для

для изготовления изолирующих и 58 22 36 изготовления изолирующих и

проводящих подложек для проводящих подложек для создания

гетероструктур полупроводниковых

высокотемпературных и мощных

сверхвысокочастотных приборов

нового поколения

78. Разработка базовой технологии 80 33 30 17 - - создание базовой технологии

производства -- -- -- -- вакуумно-плотной спецстойкой

наноструктурированных оксидов 54 22 20 12 керамики из нанокристаллических

металлов (корунда и т.п.) для порошков и нитридов металлов для

производства вакуумно-плотной промышленного освоения

нанокерамики, в том числе с спецстойких приборов нового

заданными оптическими свойствами поколения, в том числе

микрочипов, сверхвысокочастотных

аттенюаторов, RLC-матриц, а также

особо прочной электронной

компонентной базы оптоэлектроники

и фотоники

79. Разработка базовой технологии 86 - - - 33 53 создание технологии производства

производства полимерных и -- -- -- полимерных и композиционных

гибридных органо-неорганических 58 21 37 материалов с использованием

наноструктурированных защитных поверхностной и объемной

материалов для электронных модификации полимеров

компонентов нового поколения наноструктурированными

прецизионных и наполнителями для создания

сверхвысокочастотных резисторов, изделий с высокой механической,

терминаторов, аттенюаторов и термической и радиационной

резисторно-индукционно-емкостных стойкостью при работе в условиях

матриц, стойких к воздействию длительной эксплуатации и

комплекса внешних и специальных воздействии комплекса специальных

факторов внешних факторов

Всего по направлению 5 3357 663 612 702 663 717

---- --- --- --- --- ---

2238 442 408 468 442 478