9. Технологические направления

Отбор проводится по следующим технологическим направлениям:

а) оборудование и компоненты оборудования:

оборудование для молекулярно-лучевой эпитаксии;

оборудование для мос-гидридной эпитаксии;

оборудование для жидкофазной эпитаксии;

оборудование для газофазной эпитаксии;

оборудование литографическое для формирования топологического рисунка на полупроводниковых пластинах;

оборудование для нанесения, удаления и сушки фоторезиста, химической очистки полупроводниковых пластин в жидких средах;

оборудование для плазмохимической очистки полупроводниковых пластин;

оборудование для производства печатных плат;

оборудование для гальванического нанесения металлов на полупроводниковые пластины;

оборудование для ионной имплантации примесей в полупроводниковые пластины;

оборудование для производства полупроводниковых слитков (булей);

оборудование для процессов групповой термической обработки кремниевых пластин (отжиг, окисление);

оборудование для быстрого термического отжига и температурной обработки полупроводниковых пластин в контролируемой газовой среде или вакууме;

оборудование для проведения процессов плазмохимического травления и осаждения на полупроводниковых пластинах;

оборудование для атомно-слоевого осаждения тонких пленок на полупроводниковые пластины;

оборудование для физического осаждения;

оборудование для магнетронного напыления тонких пленок в вакууме на полупроводниковые пластины;

оборудование для электронно-лучевого напыления тонких пленок в вакууме на полупроводниковые пластины;

оборудование для ионно-лучевого напыления тонких пленок в вакууме на полупроводниковые пластины;

системы вакуумные кластерные для объединения 2 и более технологических модулей различного назначения для обработки полупроводниковых пластин;

оборудование лазерное для обработки полупроводниковых пластин;

оборудование для разделения и резки подложек электронно-компонентной базы (далее - экб);

оборудование для сверления и прошивки;

оборудование для лазерной пайки и микросварки;

оборудование для селективного удаления и нанесения слоев;

лазерное оборудование для отжига, реструктуризации;

лазерное оборудование для подгонки, ремонта и устранения дефектов экб и фотошаблонов;

оборудование для химико-механического утонения, планаризации, бондинга и дебондинга полупроводниковых пластин;

оборудование для химико-механического утонения полупроводниковых пластин;

оборудование для планаризации полупроводниковых пластин;

оборудование для бондинга и дебондинга полупроводниковых пластин;

оборудование для резки и обработки полупроводниковых слитков (булей);

оборудование сборочное для производства интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов;

оборудование монтажа кристаллов, поверхностного и штыревого монтажа;

оборудование монтажа (микросварки) проволочных выводов;

оборудование шлифовки, полировки и обработки полупроводниковых пластин;

оборудование дисковой резки полупроводниковых пластин и подложек;

баллоны и специальные контейнеры для газов, в том числе для фосфина;

фильтры для очистки газов;

фильтры для очистки жидких реагентов;

тары для хранения и транспортировки жидких реагентов;

оборудование для сборки и контроля качества (испытания) электронной компонентной базы, корпусирования и микросборки;

оборудование и связанное с ним специализированное программное обеспечение для проектирования и разработки электроники, электронной компонентной базы, управления производственными процессами, включая системы автоматизированного проектирования, системы математического моделирования, системы управления производством и (или) технологическими процессами;

б) ключевые запасные части, комплектующие и ключевые узлы, инструменты и принадлежности к оборудованию, перечисленному в подпункте "а" настоящего пункта;

в) специальные материалы: инертные газы высокочистые (5N - 7N);

специальные газы и смеси газов высокочистые (4N - 7N);

металлоорганические соединения высокочистые (4N - 7N);

высокочистые материалы для молекулярно-лучевой эпитаксии (6N - 9N);

кислоты высокочистые (> 6N) (содержание следов металлов и частиц не более 0,1 ppb);

растворители высокочистые (6N) и вспомогательные материалы;

фоторезисты и суспензии;

высокочистые материалы для получения кварца и (или) синтетического кварцевого стекла; высокочистые оксиды, карбиды, нитриды;

высокочистые простые вещества и неорганические соединения; материалы для высокочистого синтетического кварца;

изделия из стекла и кварца;

высокочистые оксиды редких и редкоземельных элементов; высокочистые поликристаллические материалы;

высокочистые монокристаллы элементарных полупроводников 5N - 7N, полупроводниковые пластины (подложки) из высокочистых элементарных полупроводников (Si, Ge), соединений A2B6, A3B5, A3N, A4B4;

материалы для активных лазерных элементов; лазерные монокристаллы и оптические элементы;

лазерные эпитаксиальные структуры; фотоприемные эпитаксиальные структуры;

эпитаксиальные структуры для сверхвысокочастотной и силовой электроники;

высокочистые монокристаллические нелинейно-оптические материалы;

электрооптические пленочные материалы;

конструкционные материалы;

металлические функциональные материалы;

мишени для формирования функциональных слоев и покрытий;

клеи и герметики, заливочные компаунды;

полимерные диэлектрики (полиимиды, парилены, бензоциклобутены и т.д.) и вспомогательные материалы к ним (адгезивы, промывочные жидкости и т.д.); материалы для печатных плат;

материалы для формирования покрытий методами атомно-слоевого осаждения;

кристаллы для магнитно-управляемой оптики; сцинтилляционные материалы.