Приложение. Перечень базового сырья для производства нанотехнологической продукции (по перечню ОАО "Роснано")

┌────┬─────────────────────┬───────────────────────┬──────────────────────┐

│ N │ Наименование сырья │ Ключевые │ Области применения в │

│п/п │ │ характеристики │ наноиндустрии │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│ 1. │Монокристаллы сапфира│ Химическая чистота; │ Подложки для │

│ │ (лейкосапфир) │ Диаметр подложки; │ светодиодов; │

│ │ │ Толщина подложки; │ сканерные и часовые │

│ │ │ Качество поверхности │ стекла; дисплеи │

│ │ │ (шероховатость) │ мобильных телефонов │

│ │ │ │ и др. оптические │

│ │ │ │ заготовки │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│ 2. │ Поликристаллический │ Чистота │Сырье для производства│

│ │ кремний │ │монокристаллического и│

│ │ │ │мультикристаллического│

│ │ │ │ кремния │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│ 3. │Мультикристаллический│ Химическая чистота; │ Производство ФЭП │

│ │кремний (в том числе │ Для подложки │ │

│ │ пластины) │ дополнительно: │ │

│ │ │ диаметр, толщина, │ │

│ │ │ качество поверхности │ │

│ │ │ (шероховатость), │ │

│ │ │ отсутствие дефектов │ │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│ 4. │ Металлургически │ Чистота │ Производство ФЭП │

│ │очищенный технический│ │ │

│ │кремний (UMG кремний)│ │ │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│ 5. │ Монокристаллический │ Химическая чистота; │Сырье для производства│

│ │кремний (в том числе │ Для подложки │ микросхем, солнечных │

│ │ пластины) │ дополнительно: │ батарей │

│ │ │ диаметр, толщина, │ │

│ │ │ качество поверхности │ │

│ │ │ (шероховатость), │ │

│ │ │ отсутствие дефектов │ │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│ 6. │ Германий пластины, │ Чистота, отсутствие │Производство солнечных│

│ │ монокристаллы │ дефектов │батарей, производство │

│ │ │ │ приборов ночного │

│ │ │ │ видения │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│ 7. │ Монокристаллические │ Химическая чистота; │ Производство │

│ │ пластины CdZnTe │ Диаметр подложки; │ микропиксельных │

│ │ │ Толщина подложки; │ линейных и матричных │

│ │ │ Качество поверхности │ датчиков гамма, │

│ │ │ (шероховатость); │ рентгеновского и ИК │

│ │ │ отсутствие дефектов │ излучений, а также │

│ │ │ │некоторых приборов на │

│ │ │ │основе этих датчиков, │

│ │ │ │ в частности │

│ │ │ │ медицинских, │

│ │ │ │ интроскопов, │

│ │ │ │ дефектоскопов, │

│ │ │ │ приборов ночного │

│ │ │ │ видения │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│ 8. │ Монохлорсилан │ Химическая чистота │Производство солнечных│

│ │ (сопродукт │ │ батарей │

│ │ производства │ │ │

│ │ поликремния) │ │ │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│ 9. │Карбид кремния (в том│ Химическая чистота; │Пластины: Подложки для│

│ │ числе кристаллы, │Для подложки: диаметр, │HB LED, СВЧ и силовой │

│ │ пластины, │ толщина, качество │ электроники │

│ │микрокристаллические │ поверхности │ Микропорошок: │

│ │ порошки) │ (шероховатость), │ абразивный материал │

│ │ │ отсутствие дефектов │ для резки, полировки │

│ │ │ Для порошка: │ кремниевых и │

│ │ │ распределение частиц │ сапфировых пластин │

│ │ │ по размеру │ │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│10. │ Теллур │ │ Термоэлектрический │

├────┼─────────────────────┤ │ материал │

│11. │Висмут металлический │ │ │

├────┼─────────────────────┤ │ │

│12. │Сурьма металлическая │ │ │

├────┼─────────────────────┤ │ │

│13. │ Селен технический │ │ │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│14. │ Оксид алюминия │ степень чистоты │ Исходное сырье для │

│ │ │ (99,9999%) │ производства │

│ │ │ │ лейкосапфировых │

│ │ │ │ подложек │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│15. │ Пластины нитрида │ │ Полупроводниковые │

│ │ галлия │ │приборы на основе III-│

│ │ │ │ нитридов: │

│ │ │ │мощные высокочастотные│

│ │ │ │ транзисторы │

│ │ │ │ сантиметрового и │

│ │ │ │ миллиметрового │

│ │ │ │ диапазонов (HEMT); │

│ │ │ │сверхъяркие светодиоды│

│ │ │ │ (белые, синие, │

│ │ │ │ зеленые); │

│ │ │ │ синие │

│ │ │ │ и ультрафиолетовые │

│ │ │ │ лазерные диоды; │

│ │ │ │ силовые приборы для │

│ │ │ │коммутации мегаваттных│

│ │ │ │ мощностей; │

│ │ │ │ радиационно-стойкие │

│ │ │ │ преобразователи │

│ │ │ │ напряжения для │

│ │ │ │космических аппаратов │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│16. │ Пластины нитрида │ │Светодиоды и лазерные │

│ │ алюминия │ │ диоды глубокого │

│ │ │ │ ультрафиолетового │

│ │ │ │ спектра (длина волны │

│ │ │ │ менее 300 нм); │

│ │ │ │ приборы │

│ │ │ │ высокочастотной │

│ │ │ │ электроники; │

│ │ │ │ усилители мощности; │

│ │ │ │ электронные приборы │

│ │ │ │ для работы в области │

│ │ │ │ высоких температур │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│17. │Моногидрат гидроксида│ Химическая чистота │ Li-Ion аккумуляторы │

│ │ лития │ │ │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│18. │Порошки халькогенидов│ │- Инфракрасная оптика │

│ │металлов A2B6, A3B6, │ │ - Оптоэлектроника │

│ │ A4B6 (ZnS, ZnSe, │ │ - Акустоэлектроника │

│ │ ZnTe, CdS, CdSe, │ │ - Техника ТГц- │

│ │ CdxZn1-xSe, CdTe, │ │ диапазона │

│ │ CdxZn1-xTe, GaS, │ │ - Мишени (источники) │

│ │ GaSe, Ga2Se3, GaTe, │ │ для тонкопленочных │

│ │ MnS, MnSe, MnTe, │ │ полупроводниковых │

│ │ Bi2Te3, PbS, PbSe, │ │ технологий │

│ │ PbTe, HgCdTe) │ │ - фотовольтаика │

│ │ │ │ - Приборы управления │

│ │ │ │ световым потоком │

│ │ │ │ - термоэлектрики; │

│ │ │ │ - Полупроводниковые │

│ │ │ │детекторы ионизирующих│

│ │ │ │ излучений │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│19. │ NaTb(MoO4)2, NaBi1- │ │ магнитооптические и │

│ │ xTb(MoO4)2, │ │ акустооптические │

│ │ NaTb(WO4)2 │ │приборы (компонентная │

│ │ │ │ база) │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│20. │ Эпоксидные смолы │ │композитные материалы │

├────┼─────────────────────┤ │ (волокно-смола) │

│21. │Полиуретановые смолы │ │ │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│22. │ Редкоземельные │ Чистота │ Катализаторы │

│ │металлы (La, Ce, Pr, │ │ Стекольная │

│ │ Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, │ │ промышленность │

│ │TbDy, Ho, Er, Tm, Yb,│ │ Металлургия │

│ │ Lu) │ │ Магниты │

├────┼─────────────────────┤ │ Керамика │

│23. │ Скандий (Sc) │ │ Люминофоры │

├────┼─────────────────────┤ │ │

│24. │ Иттрий (Y) │ │ │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│25. │ Триоксид вольфрама │ │ Сырье для │

│ │ │ │наноразмерного карбида│

│ │ │ │ вольфрама │

│ │ │ │ (твердосплавный │

│ │ │ │ инструмент) │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│26. │ Ниобий │ Чистота │ производство │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┤ конденсаторов для │

│27. │ Тантал │ │ микроэлектроники. │

│ │ │ │ Сплавы из карбидов │

│ │ │ │ ниобия и тантала │

│ │ │ │ используются для │

│ │ │ │ изготовления │

│ │ │ │ быстрорежущих │

│ │ │ │ инструментов. │

│ │ │ │Ниобиевые и танталовые│

│ │ │ │сплавы используются в │

│ │ │ │ ядерной энергетике, │

│ │ │ │ авиационной │

│ │ │ │ промышленности и │

│ │ │ │ ракетостроении │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│28. │Полиэтилентерефталат │ │ нефтехимия, │

│ │ (ПТФЭ) │ │органические полимеры │

│ │ │ │ (в т.ч. основа для │

│ │ │ │ производства пленки, │

│ │ │ │ из которой │

│ │ │ │ изготавливается │

│ │ │ │ трековая мембрана) │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│29. │ Органические │ │ Пр-во некремниевой │

│ │ проводящие и │ │ электроники; OLED │

│ │электролюминесцентные│ │ │

│ │ полимеры: │ │ │

│ │ полиацетилен, │ │ │

│ │ полипиррол, │ │ │

│ │ политиофен, │ │ │

│ │ полианилин, поли- │ │ │

│ │ сульфид-p-фенилена, │ │ │

│ │ поли-пара-фенилен- │ │ │

│ │ винилен (и его │ │ │

│ │ производные); │ │ │

│ │полииндол, полипирен,│ │ │

│ │ поликарбазол, │ │ │

│ │ полиазулен, │ │ │

│ │ полиазерин, │ │ │

│ │ полифлуорен, │ │ │

│ │ полинафталин │ │ │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│30. │ Полиэтилен │ │ Производство │

│ │ │ │ функциональных │

│ │ │ │ полимерных │

│ │ │ │ нанокомпозитов │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│31. │ Полипропилен │ │ Производство │

│ │ │ │ функциональных │

│ │ │ │ полимерных │

│ │ │ │ нанокомпозитов │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│32. │ Трифторид азота │ Химическая чистота │ Производство │

│ │ │ (99.99%) │ наноразмерных │

│ │ │ │ микросхем, │

│ │ │ │ микропроцессоров и │

│ │ │ │ жидкокристаллических │

│ │ │ │ дисплеев │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│33. │ Диоксид теллура │Концентрация примесей; │ Акустооптические │

│ │ (монокристаллы) │ Плотность дислокаций; │ приборы, элементы │

│ │ │ Оптические │ оптических окон │

│ │ │ неоднородности; │ │

│ │ │Аномальная двуосность; │ │

│ │ │ Оптический │ │

│ │ │ поляризационный │ │

│ │ │ контраст; │ │

│ │ │ Класс по рассеянию; │ │

│ │ │ Суммарный показатель │ │

│ │ │ ослабления света │ │

├────┼─────────────────────┼───────────────────────┼──────────────────────┤

│34. │ Этилен/Пропилен │ │ Полимеры с │

│ │ │ │ контролируемыми │

│ │ │ │свойствами, полимерные│

│ │ │ │ композиты с │

│ │ │ │ контролируемыми │

│ │ │ │ свойствами │

└────┴─────────────────────┴───────────────────────┴──────────────────────┘