Приказ Минкомсвязи России от 06.06.2011 N 128 (ред. от 22.06.2018) "Об утверждении Правил применения абонентских терминалов сетей подвижной радиотелефонной связи стандарта LTE" (Зарегистрировано в Минюсте России 24.06.2011 N 21165)

Таблица N 10. Требования к допустимым значениям уровней внеполосных излучений в режиме CA

Уровень внеполосных излучений (дБм)

Расстройка от края полосы канала Рисунок 47 (МГц)

50RB + 100RB (29,9 МГц)

75RB + 75RB (30 МГц)

100RB + 100RB (39,8 МГц)

Измерительная полоса

Рисунок 48(0 - 1)

-22,5

-22,5

-24

30 кГц

Рисунок 49(1 - 5)

-10

-10

-10

1 МГц

Рисунок 50(5 - 29,9)

-13

-13

-13

1 МГц

Рисунок 51(29,9 - 30)

-25

-13

-13

1 МГц

Рисунок 52(30 - 34,9)

-25

-25

-13

1 МГц

Рисунок 53(34,9 - 35)

-25

-13

1 МГц

Рисунок 54(35 - 39,8)

-13

1 МГц

Рисунок 55(39,8 - 44,8)

-25

1 МГц

(п. 6 введен Приказом Минкомсвязи России от 06.10.2014 N 333)

7. Значения расстройки от края полосы канала ДельтаfOOB (МГц) в зависимости от полосы канала LTE-Advanced приведены в таблице N 11. Требования к допустимым значениям уровней побочных излучений приведены в таблице N 12 для частот, значения которых находятся выше частоты ДельтаfOOB (МГц) от края полосы канала.

Таблица N 9. Требования к допустимым значениям уровней внеполосных излучений Таблица N 11. Значения расстройки от края полосы канала (МГц) в зависимости от полосы канала LTE-Advanced