4.5. Технология

4.5.1. Технологии, связанные с

разработкой, производством или

применением вакуумной электроники,

акустоэлектроники и

сегнетоэлектрики:

4.5.1.1. Технологии разработки,

производства или применения

оборудования с цифровым

управлением, позволяющего

осуществлять автоматическую

ориентацию рентгеновского луча и

коррекцию углового положения

кварцевых кристаллов с

компенсацией механических

напряжений, вращающихся по двум

осям при величине погрешности 10

угловых секунд или менее, которая

поддерживается одновременно для

двух осей вращения;

4.5.1.2. Технологии разработки,

производства или применения

оборудования для равномерного

покрытия поверхности мембран,

электродов и волоконно-оптических

элементов монослоями биополимеров

или биополимерных композиций

4.5.2. Технологии разработки,

производства или применения любой

из нижеприведенной криогенной

техники, разработанной для

получения и поддержания

регулируемых температур ниже 100 K

и пригодной для использования на

подвижных наземных, морских,

воздушных или космических

платформах:

а) низкотемпературных контейнеров;

б) криогенных трубопроводов; или

в) низкотемпературных

рефрижераторных систем закрытого

типа

4.5.3. Технологии разработки,

производства или применения

источников микроволнового

излучения (в том числе СВЧ-

излучения) средней мощностью более

3 МВт с энергией в импульсе более

10 кДж:

4.5.3.1. Технологии разработки,

производства или применения мощных

переключателей, таких, как

водородные тиратроны и их

компонентов, в том числе устройств

получения длительных (до 30 с)

импульсов;

4.5.3.2. Технологии разработки,

производства или применения

волноводов и их компонентов, в том

числе:

4.5.3.2.1. Массового производства одно- и

двухгребневых волноводов и

высокоточных волноводных

компонентов;

4.5.3.2.2. Механических конструкций

вращающихся сочленений;

4.5.3.2.3. Устройств охлаждения

ферромагнитных компонентов;

4.5.3.2.4. Прецизионных волноводов

миллиметровых волн и их

компонентов;

4.5.3.2.5. Ферритовых деталей для

использования в ферромагнитных

компонентах волноводов;

4.5.3.2.6. Ферромагнитных и механических

деталей для сборки ферромагнитных

узлов волноводов;

4.5.3.2.7. Материалов типа

"диэлектрик-феррит" для управления

фазой сигнала и уменьшения

размеров антенны;

4.5.3.3. Технологии разработки,

производства или применения СВЧ- и

ВЧ-антенн, специально

предназначенных для ускорения

ионов

4.5.3.4. Технологии разработки или

производства следующих элементов

электровакуумных СВЧ-приборов:

4.5.3.4.1. Безнакальных и

вторично-эмиссионных эмиттеров;

4.5.3.4.2. Высокоэффективных эмиттеров с

плотностью тока катода более 10

А/кв. см;

4.5.3.4.3. Электронно-оптических и

электродинамических систем для

многорежимных ламп бегущей волны

(ЛБВ), многолучевых приборов и

гиротронов

4.5.4. Технологии, связанные с

исследованием проблем

распространения радиоволн в

интересах создания перспективных

систем связи и управления:

4.5.4.1. Технологии разработки,

производства или применения

средств КВ-радиосвязи:

4.5.4.1.1. Технологии разработки,

производства или применения

автоматически управляемых

КВ-радиосистем, в которых

обеспечивается управление

качеством работы каналов связи;

4.5.4.1.2. Технологии разработки,

производства или применения

устройств настройки антенн,

позволяющих настраиваться на любую

частоту в диапазоне от 1,5 МГц до

88 МГц, которые преобразуют

начальный импеданс антенны с

коэффициентом стоячей волны от 3 -

1 или более до 3 - 1 или менее, и

обеспечивающих настройку при

работе в любом из следующих

режимов:

а) в режиме приема за время 200 мс

или менее;

б) в режиме передачи за время 200

мс или менее при уровнях мощности

менее 100 Вт и за 1 с или менее

при уровнях более 100 Вт;

4.5.4.2. Технологии разработки,

производства или применения

широкополосных передающих антенн,

имеющих коэффициент перекрытия

частотного диапазона в пределах 10

и более и коэффициент стоячей

волны не более 4;

4.5.4.3. Технологии разработки,

производства или применения

станций радиорелейной связи,

использующих эффект тропосферного

рассеяния, и их компонентов,

таких, как:

4.5.4.3.1. Усилителей мощности для работы в

диапазоне частот от 300 МГц до 8

ГГц, использующих жидкостно- и

пароохлаждаемые электронные лампы

мощностью более 10 кВт или лампы с

воздушным охлаждением мощностью 2

кВт или более и коэффициентом

усиления более 20 дБ, включая

усилители, объединенные со своими

источниками электропитания;

4.5.4.3.2. Приемников с уровнем шумов менее 3

дБ;

4.5.4.3.3. Специальных микроволновых

гибридных интегральных схем;

4.5.4.3.4. Фазированных антенных решеток,

включая их распределенные

компоненты для формирования луча;

4.5.4.3.5. Адаптивных антенн, способных к

установке нуля диаграммы

направленности в направлении на

источник помех;

4.5.4.3.6. Средств радиорелейной связи для

передачи цифровой информации со

скоростью более 2,1 Мбит/с и более

1 бит/цикл;

4.5.4.3.7. Средств радиорелейной

многоканальной (более 120 каналов)

связи с разделением каналов по

частоте;

4.5.4.4. Технологии разработки,

производства или применения

космических спутниковых систем

связи и их элементов, таких, как:

4.5.4.4.1. Развертываемых антенн, а также

механизмов их развертывания,

включая контроль поверхности

антенн при их изготовлении и

динамический контроль развернутых

антенн;

4.5.4.4.2. Антенных решеток с фиксированной

апертурой, включая контроль их

поверхности при производстве;

4.5.4.4.3. Антенных решеток, состоящих из

линейки рупорных излучателей,

формирующих диаграмму

направленности путем изменения

фазы сигнала и установки нуля

диаграммы направленности на

источник помех;

4.5.4.4.4. Микрополосковых фазированных

антенных решеток, включая

компоненты для формирования нуля

диаграммы в направлении на

источник помех;

13.5.4.4.5. Исключен. - Указ Президента РФ от 06.03.2008 N 326

4.5.4.4.5. Антенн и компонентов на основе

композиционных материалов для

достижения требуемых характеристик

прочности и жесткости при

минимальном весе, стабильности

длительной их работы в широком

диапазоне температур, включая

технологии для стабилизации

параметров в процессе изготовления

компонентов из эпоксидных смол с

графитовым наполнением;

4.5.4.5. Технологии разработки или

производства усилителей мощности,

предназначенных для применения в

космосе и имеющих одно из

следующих устройств и

особенностей:

а) приборы с теплообменными

устройствами, содержащими схемы

теплопередачи от элемента к

поглотителю тепла мощностью более

25 Вт с площади 900 кв. см;

б) блоки, работающие на частотах

18 ГГц или обеспечивающие

следующие мощности: 10 Вт на

частоте 0,5 ГГц, или 5 Вт на

частоте 2 ГГц, или 1 Вт на частоте

11 ГГц;

в) высоковольтные источники

питания, имеющие соотношение

мощность/масса и мощность/габариты

более 1 Вт/кг и 1 Вт на 320 кв. см

4.5.5. Технологии, связанные с

разработкой методов и способов

радиоэлектронной разведки и

подавления:

4.5.5.1. Технологии разработки,

производства или применения

средств радиоэлектронной разведки

и подавления, таких, как:

4.5.5.1.1. Систем разведки и подавления,

управляемых оператором или

работающих автоматизировано и

разработанных для перехвата и

анализа сигналов, подавления и

нарушения нормальной работы систем

связи всех типов или навигации;

4.5.5.1.2. Приемников, работающих с

сигналами, имеющими коэффициент

сжатия, превышающий 100;

4.5.5.2. Технологии разработки,

производства или применения

приемников, использующих

дисперсионные фильтры и

конвольверы с уровнем побочных

сигналов на 20 дБ ниже основного

сигнала;

4.5.5.3. Технологии разработки,

производства или применения

приемопередающих устройств,

предназначенных для обнаружения,

перехвата, анализа, подавления

сигналов, в том числе с модуляцией

распределенным спектром;

4.5.5.4. Технологии разработки,

производства или применения

устройств автоматической настройки

антенны, обеспечивающих ее

перестройку со скоростью не менее

30 МГц/с;

4.5.5.5. Технологии разработки,

производства или применения

средств автоматического

определения направления, способных

считывать пеленги со скоростями не

менее одного пеленга в секунду;

4.5.5.6. Технологии разработки,

производства или применения

генераторов (синтезаторов)

сигналов, в том числе

программируемых, с

характеристиками, указанными в

пункте 4.1.2

4.5.6. Технологии разработки,

изготовления или применения

запоминающих устройств (ЗУ) на

тонких пленках, такие, как:

4.5.6.1. Технологии разработки,

производства или применения ЗУ на

цилиндрических магнитных доменах

(ЦМД);

4.5.6.2. Технологии разработки,

производства или применения

материалов и оборудования для

изготовления ЗУ на ЦМД;

4.5.6.3. Технологии выращивания и обработки

материалов для изготовления

подложек ЗУ на магнитных доменах,

например, из материала на основе

галлий-гадолиниевого граната;

4.5.6.4. Технологии эпитаксиального

выращивания пленок для ЗУ на ЦМД;

4.5.6.5. Технологии осаждения пермаллоя и

диэлектрика и создания рисунка с

пространственным разрешением лучше

10 мкм, включая металлизацию

напылением или испарением и ионное

фрезерование;

4.5.6.6. Технологии компоновки и сборки ЗУ

на ЦМД;

4.5.6.7. Технологии разработки ионных

имплантантов и ЗУ с

соприкасающимися дисками и методы

создания рисунка

4.5.7. Технологии разработки,

производства или применения ЗУ на

проволоке с гальваническим

покрытием:

4.5.7.1. Технологии разработки или

производства ЗУ на проволоке с

гальваническим покрытием, включая:

а) подготовку бериллиево-медной

подложки для обеспечения чистой и

однородной поверхности;

б) покрытие медью для обеспечения

требуемых плотности и

шероховатости проволоки;

в) конструирование устройств для

нанесения покрытий требуемых

составов, однородности и толщины

пермаллойного (никелево-железного)

магнитного материала на

проволочные подложки;

г) автоматизированные испытания в

ходе нанесения покрытия на

проволоку и проверка после

окончания процесса с тем, чтобы

гарантировать нужные параметры;

4.5.7.2. Технологии разработки или

производства запоминающих

устройств на проволоке, таких,

как:

4.5.7.2.1. Магнитных экранов для запоминающих

устройств, в том числе

пермаллойного слоя;

4.5.7.2.2. Туннельных структур для плотного и

дешевого размещения элементов ЗУ

на проволоке с гальваническим

покрытием;

4.5.7.2.3. Ферритовых слоев для формирования

линий магнитного потока и

увеличения плотности упаковки

вдоль проволоки с нанесенным

покрытием

4.5.8. Технологии разработки,

производства или применения

специальных технических средств,

разработанных для негласного

получения информации, таких, как:

4.5.8.1. Для негласного получения и

регистрации акустической

информации;

4.5.8.2. Для негласного визуального

наблюдения и документирования;

4.5.8.3. Для негласного прослушивания

телефонных переговоров;

4.5.8.4. Для негласного перехвата и

регистрации информации с

технических каналов связи;

4.5.8.5. Для негласного контроля почтовых

сообщений и отправлений;

4.5.8.6. Для негласного исследования

предметов и документов;

4.5.8.7. Для негласного проникновения и

обследования помещений,

транспортных средств и других

объектов;

4.5.8.8. Для негласного контроля за

перемещением транспортных средств

и других объектов;

4.5.8.9. Для негласного получения

(изменения, уничтожения)

информации с технических средств

ее хранения, обработки и передачи;

4.5.8.10. Для негласной идентификации

личности

4.5.9. Технологии разработки,

производства или применения

технических средств для выявления

электронных устройств,

предназначенных для негласного

получения информации

4.5.10. Технологии разработки,

производства или применения

крупногабаритных оптико-

электронных телескопических

комплексов, предназначенных для

наблюдения земной поверхности из

космоса, с диаметром входного

зрачка 0,4 м и более